1.一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：包括偏置电路(1)、输入匹配电路(2)、信号放大电路(3)和输出匹配电路(4)，所述输入匹配电路(2)与射频输入端(5)连接，输入射频信号，对射频信号进行一次阻抗匹配；所述信号放大电路(3)与所述输入匹配电路(2)连接，对阻抗匹配后的射频信号进行信号放大；所述输出匹配电路(4)与所述信号放大电路(3)连接，对放大后的信号进行二次阻抗匹配，向所述射频输出端(6)输出二次阻抗匹配后的射频信号；所述偏置电路(1)分别与所述输入匹配电路(2)和输出匹配电路(4)连接，所述偏置电路(1)向所述输入匹配电路(2)提供偏置电压，并对放大后的信号进行增益。

2.根据权利要求1所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述偏置电路(1)包括MOS管M3、MOS管M4和电阻R1，所述MOS管M4的漏极与输出匹配电路(4)连接，所述MOS管M4的栅极与所述信号放大电路(3)连接，所述MOS管M4的源极分别与所述MOS管M3的漏极和栅极连接，所述MOS管M3的栅极经电阻R1与输入匹配电路(2)连接，所述MOS管M3的源极接地。

3.根据权利要求2所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述输入匹配电路(2)包括电容C1、电感L1、电感L2和MOS管M1，所述电容C1的一端与射频输入端(5)连接，接入射频信号，另一端经电感L1与MOS管M1的栅极连接，MOS管M1的源极经电感L2接地，MOS管M1的漏极经电感L3与信号放大电路(3)连接。

4.根据权利要求3所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述信号放大电路(3)包括MOS管M2和电感L4，所述MOS管M2的源极与电感L3连接，还经电容C3接地；所述MOS管M2的栅极与MOS管M4的栅极连接，还经电容C2与MOS管M1的漏极连接，还经电阻R2接入电源电压VDD；所述MOS管M2的漏极与MOS管M4的漏极连接，还经电感L4与电阻R2连接，接入电源电压VDD，还与输出匹配电路(4)连接。

5.根据权利要求4所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述输出匹配电路(4)包括电容C4，所述电容C4的一端与MOS管M2的漏极连接，另一端与与射频输出端(6)。

6.根据权利要求5所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述输入匹配电路(2)还包括电阻R3、电阻R4、电容C5和电容C6，所述电阻R3的一端分别与所述电容C1和电阻R1连接，另一端经电容C5与MOS管M1的漏极连接；所述电阻R4的一端分别与所述电容C1和电阻R1连接，另一端经电容C6与MOS管M1的源极连接。

7.根据权利要求6所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述信号放大电路(3)还包括电感L5，所述电感L5的一端与MOS管M2的栅极连接，另一端分别电阻R2、电容C2和MOS管M4的栅极连接。

8.根据权利要求7所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述信号放大电路(3)还包括电阻R5，所述电阻R5的一端与电感L4连接，另一端与电阻R2连接，并接入电源电压VDD。

9.根据权利要求4至8任一项所述一种低功耗的高增益低噪声放大器，其特征在于：所述MOS管M1～M4均为NMOS管。

10.一种低功耗的高增益低噪声放大器的运行方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1.输入匹配电路(2)输入射频信号，对射频信号进行一次阻抗匹配；偏置电路(1)向输入匹配电路(2)提供偏置电压；

步骤S2.信号放大电路(3)对阻抗匹配后的射频信号进行信号放大；偏置电路(1)对放大后的信号进行增益；

步骤S3.输出匹配电路(4)对放大后的信号进行二次阻抗匹配，向所述射频输出端(6)输出二次阻抗匹配后的射频信号。