1.一种基于磁场和温度的双参量光纤传感器，其特征在于：由入射端单模光纤、球形结构、单模光纤、少模光纤和出射端单模光纤串联组成,并用松香封装于塑料细管中，塑料细管中填充磁流体；入射端单模光纤与球形结构连接，球形结构与单模光纤连接，光从入射端单模光纤进入到球状结构，在中间段单模光纤的纤芯和包层中向前传输并激发出包层模式；单模光纤与少模光纤熔接，少模光纤与出射端单模光纤熔接，光在出射端单模光纤和少模光纤熔接处发生模式的激发和干涉；所述球形结构作为耦合器，直径为160-180μm，中间段的单模光纤作为传感区，长度为2cm；少模光纤既作为传感区，又作为耦合器，长度为3cm，纤芯直径为9μm，包层直径为125μm；塑料细管直径为2mm，长度为6cm；所用单模光纤均为标准单模光纤，纤芯直径为8.2μm，包层直径为125μm。

2.一种如权利要求1所述基于磁场和温度的双参量光纤传感器的制备方法，其特征在于步骤如下：

1)将一段单模光纤放到型号为Fitel S178C的光纤熔接机中，使用手动操作方式，首次放电开始强度150bit，首次放电结束强度150bit，放电时间为12100ms，推进形式为双侧马达移动，推进距离18000um，放电后制得球形结构；

2)将上述球形结构与一段单模光纤放到光纤熔接机两边，使用手动操作方式，放电量

100bit，时间为3000ms，推进量为25μm，放电后球形结构与单模光纤完成连接，在单模光纤长度为2cm处，用切割刀将端面切割整齐；

3)将上述单模光纤与一段少模光纤熔接，熔接程序为SMF-MMF，使用自动熔接，放电强度为100bit，时间为3000ms，在长度3cm处，用切割刀将端面切割整齐。

4)将上述少模光纤与一段单模光纤熔接，熔接程序选择SMF-MMF，使用自动熔接，放电强度为100bit，时间为3000ms，放电后少模光纤与单模光纤完成连接，制得传感结构；

5)将上述传感结构放置于直径为2mm、长度为6cm的塑料细管中，然后向塑料细管里填充磁流体，再将塑料细管两端用松香密封，制得基于磁场和温度的双参量光纤传感器。