1.一种采用MoS2薄膜FET检测葡萄糖溶液浓度的方法，其特征在于，将MoS2薄膜FET固定在盛有PBS溶液的样品槽中，启动半导体参数分析仪测得零浓度MoS2薄膜FET的漏极电流Ids；以PBS溶液为溶剂，在1～30mM浓度范围内配制若干份浓度不同的葡萄糖溶液，与葡萄糖氧化酶GOx一起先后加入到所述样品槽中，由半导体参数分析仪逐一检测与每份具有某一浓度葡萄糖溶液对应的MoS2薄膜FET的漏极电流Ids；由前述各个漏极电流Ids组合建立检测基础数据库；在实测中，将体积已知PBS溶液、体积已知但浓度未知的被测葡萄糖溶液与葡萄糖氧化酶GOx一起加入所述样品槽中，根据此时由半导体参数分析仪测得的MoS2薄膜FET的漏极电流Ids，结合所述检测基础数据库，经过换算得出该被测葡萄糖溶液的浓度。

2.根据权利要求1所述的采用MoS2薄膜FET检测葡萄糖溶液浓度的方法，其特征在于，所述MoS2薄膜FET采用以下方法制作：首先，用L-edit软件设计光刻图案，图案尺寸与SiO2/Si衬底尺寸相同，为1×1cm2，其中沟道宽度的设计为2μm、3μm、4μm、5μm四种中的一种，光刻后，利用电子束蒸金技术制备FET漏源电极，该漏源电极结构为Au/Ni，厚度为70nm/10nm；随后，采用机械剥离法得到高镜像MoS2薄膜体材料，并通过金相显微镜观察找到合适的器件工作区域；最后，在器件的背面用速干银浆制备出FET背栅电极。

3.根据权利要求1所述的采用MoS2薄膜FET检测葡萄糖溶液浓度的方法，其特征在于，所述MoS2薄膜FET的场效应迁移率μ≥10cm2/V·s。

4.根据权利要求1所述的采用MoS2薄膜FET检测葡萄糖溶液浓度的方法，其特征在于，所述PBS溶液的配制过程为：取KH2PO4、K2HPO4、K3[Fe(CN)6]、K4Fe(CN)6四种溶质，用量依次为

1.08872g、1.82576g、0.7902g、1.013736g，以去离子水为溶剂，按0.1M的总浓度配制所述PBS溶液。