1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在基板上依次形成栅极材料层和栅绝缘材料层，并进行图形化，得到栅极和栅绝缘层；

(2)在栅绝缘层上形成电导率为a的第一氧化物半导体层材料层；

所述栅绝缘层和所述第一氧化物半导体层之间形成第五氧化物半导体层，第五氧化物半导体层电导率为e，e

(3)在第一氧化物半导体材料层上形成电导率为b的第二氧化物半导体材料层,b

所述第一氧化物半导体层与所述第二氧化物半导体层之间形成第四氧化物半导体层，所述第四氧化物半导体层电导率为d，d

(4)在第二氧化物半导体材料层上形成电导率为c的第三氧化物半导体材料层,c>a，并进行图形化，得到第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层，第三氧化物半导体层中形成一个第一通孔；

(5)在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内形成刻蚀阻挡材料层，并进行图形化，在刻蚀阻挡材料层上形成位于第一通孔两侧的两个第二通孔，形成刻蚀阻挡层；

(6)沿着所述刻蚀阻挡层中的两个第二通孔进一步图形化穿透第三氧化物半导体材层以及第二氧化物半导体层，形成两个贯穿孔，漏出第一氧化物半导体层；

(7)在所述刻蚀阻挡层上形成电极材料层，并进行图形化，得到源极和漏极，源极和漏极通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一氧化物半导体层材料为氧化铟镓锌，所述第二氧化物半导体层材料为氧化镓锌，所述第三氧化物半导体层材料氧化铟锌。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第四氧化物半导体层材料为氧化镓锌。

4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第五氧化物半导体层材料为氧化镓锌。

5.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述栅极、所述源极以及所述漏极材料为：铝，铜，钼，钛，银，金，钽，钨，铬或其合金。

6.根据权利要求1至5任一所述方法制备的一种氧化物薄膜晶体管，包括：基板，在基板上的栅极，在基板上覆盖栅极以及基板的栅绝缘层，在栅绝缘层上的第一氧化物半导体层，其特征在于：还包括第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层，第三氧化物半导体层中的第一通孔，在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内的刻蚀阻挡层，贯穿刻蚀阻挡层、第三氧化物半导体层以及第二氧化物半导体层的位于第一通孔两侧的两个贯穿孔，源极和漏极形成在刻蚀阻挡层上，通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。