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专利号: 2016109656867
申请人: 西安建筑科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种低温还原制备类石墨烯二硫化钼的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一,将二硫化钼粉末加入到插层溶液中进行插层反应,反应完成后过滤、烘干,得到插层二硫化钼粉末;

所述的插层溶液为氯酸钾、硝酸钠、浓硫酸和双氧水组成的混合溶液;

所述的二硫化钼粉末与氯酸钾、硝酸钠、质量浓度98%的浓硫酸和质量浓度30%的双氧水之间的配比关系为1g:(1~4)g:(0.5~2)g:(9~40)mL:(4~20)mL。

步骤二,将步骤一制得的插层二硫化钼粉末加入到还原剂中进行还原反应,反应完全后经过抽滤,干燥和研磨后即得到类石墨烯二硫化钼;

所述的还原剂为二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的二硫化钼粉末与氯酸钾、硝酸钠、质量浓度98%的浓硫酸和质量浓度30%的双氧水之间的配比关系为1g:2g:1g:23mL:7mL。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的插层二硫化钼粉末与二甲基甲酰胺之间的配比关系为2g:(750~1200)mL;所述的插层二硫化钼粉末与二甲基乙酰胺之间的配比关系为2g:(615~750)mL。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述的插层二硫化钼粉末与二甲基乙酰胺之间的配比关系为2g:700mL。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤二中还可以加入分散剂。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述的分散剂为N-甲基吡咯烷酮或聚乙烯吡咯烷酮。

7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述的插层二硫化钼粉末与分散剂之间的配比关系为2g:(62~100)mL。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤一中,所述的插层反应的过程为:将二硫化钼粉末加入混合溶液中,加热至10~30℃反应1~3h,然后在30~70℃并搅拌20~50min,

75~100℃下搅拌反应10~30min,然后抽滤、干燥,得到插层二硫化钼粉末。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤二中,所述的还原反应的过程为:将步骤一制得的插层二硫化钼粉末加入到还原剂中,反应10~40min,趁热用去离子水抽滤清洗产物,然后于干燥箱中90~120℃下干燥18~24h,即得到类石墨烯二硫化钼;

所述的二甲基甲酰胺作为还原剂时的还原反应温度为130~160℃,所述的二甲基乙酰胺作为还原剂时的还原反应温度为140~180℃。