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专利号: 2016109853047
申请人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-08-24
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种太阳能电池氧化硅层的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:将硅片置于混合酸液中进行氧化处理,包括将所述硅片置于所述混合酸液中浸泡2min~4min,所述混合酸液由硝酸、硫酸和乙酸组成,所述硝酸的体积份数为50~90份,所述硫酸的体积分数为10~50份,所述乙酸的体积份数为1~10份,所述硝酸的浓度为68%,所述硫酸的浓度为98%。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硝酸的体积份数为75~80份,所述硫酸的体积份数为20~25份,所述乙酸的体积份数为2~5份。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述将硅片置于混合酸液中前对硅片进行预处理,所述预处理包括:采用RCA标准清洗法清洗硅片;

采用HF去除硅片表面的原生氧化层。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氧化处理的处理温度为10℃~

120℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述氧化处理的处理时间为1min~

30min。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述将硅片置于混合酸液中进行氧化处理在室温下进行。

7.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括由权利要求1至6任意一项所述的制备方法制备的氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述氧化硅层的厚度为0.8nm~

5.0nm。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述氧化硅层的厚度为1.2nm~

2.0nm。