1.一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：介质配方组成，按照重量百分比计算：(Sr0.96Ba0.04)TiO3 88-96%，Co(Li1/4Nb3/4)O30.1-3%，Dy2O3 0.1-4%，SiO2 0.1-2.0%, Al2O30.1-2.5%, Co(Zr1/2Mg1/2)O30.03-2.0%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉0.1-2.0%，CuO0.01-2%;其中(Sr0.96Ba0.04)TiO3、Co(Li1/4Nb3/4)O3、ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成；所述高频晶界层陶瓷电容器介质的制备方法如下：首先采用常规的化学原料用固相法分别合成(Sr0.96Ba0.04)TiO3、Co(Li1/4Nb3/4)O3、Co(Zr1/2Mg1/2)O3、ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉，然后按上述配方配料，将配好的料用蒸馏水或去离子水采用行星球磨机球磨混合,料、球和水的质量比=1:3:(0.6 1.0),球磨4 8小时后，烘干~ ~得干粉料，在干粉料中加入占其重量8 10%的浓度为10wt%的聚乙烯醇溶液，进行造粒，混研~后过40目筛，再在20 30Mpa压力下进行干压成生坯片，先在氮气中500℃以前排胶，然后在~高于1000℃后以慢速升温，升温速率30-50℃/小时，然后于1250-1270℃保温3-5小时烧结，然后缓慢冷却到900-950℃于空气中保温2-3小时处理，最后随炉冷却，再在780 800℃下保~温15分钟进行烧银，形成银电极，再焊引线，进行包封，即得晶界层陶瓷电容器介质。

2.如权利要求1所述的一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述的Co(Li1/

4Nb3/4)O3是采用如下工艺制备的：将常规的化学原料CoCO3和Li2CO3和Nb2O5按1：1/8：3/8摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于830℃保温120分钟，固相反应合成Co(Li1/

4Nb3/4)O3，冷却后研磨过200目筛，备用。

3.如权利要求1所述的一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述的Co(Zr1/

2Mg1/2)O3是采用如下工艺制备的：Co(Zr1/2Mg1/2)O3的制备过程包括：Co2O3和ZrO2和MgO按1/

2：1/2：1/2摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于1100-1150℃保温120分钟，冷却后得到Co(Zr1/2Mg1/2)O3，研磨过200目筛，备用。

4.如权利要求1所述的一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：所述的ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉是采用如下工艺制备的：将常规的化学原料ZnO和Li2CO3和Bi2O3按1：0.5：0.5摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于600-650℃保温120分钟，然后在水中淬冷，冷却后得到ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉,研磨过200目筛，备用。

5.如权利要求1所述的一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：介质配方组成，按照重量百分比计算： (Sr0.96Ba0.04)TiO3 89-94%，Co(Li1/4Nb3/4)O30.3-2.5%，Dy2O3 0.3-

2.5%，SiO2 0.1-1.5%, Al2O30.1-2%, Co(Zr1/2Mg1/2)O30.05-1.6%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉

0.2-1.8%，CuO0.06-2%。

6.如权利要求1所述的一种高频晶界层陶瓷电容器介质，其特征在于：介质配方组成，按照重量百分比计算：(Sr0.96Ba0.04)TiO3 90-94%，Co(Li1/4Nb3/4)O3 0.3-2.0%，Dy2O3 0.3-

2.0%，SiO2 0.1-1.3%, Al2O30.1-1.6%, Co(Zr1/2Mg1/2)O30.08-1.5%，ZnO-Li2O-Bi2O3玻璃粉

0.3-1.5%，CuO0.1-1.8%。