1.一种基于纳米材料的传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底的第一表面具有第一介质层，第二表面具有第二介质层；

在所述第一介质层表面形成若干MoS2纳米结构，若干MoS2纳米结构呈线性排列；

在所述第一介质层表面形成若干传输线，所述传输线具有间隔，所述间隔适于容纳所述MoS2纳米结构；

在所述半导体衬底的第二介质层表面形成接地层，所述接地层形成有互补开口谐振环，所述互补开口谐振环的位置与所述MoS2纳米结构的位置对应，其中所述互补开口谐振环的超材料在λ/8至λ/12谐振，λ是传感器工作频率对应的波长。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层表面形成若干MoS2纳米结构包括：提供石英管式炉，所述石英管式炉具有连通的第一温区和第二温区，三氧化钼粉末、硫粉；将三氧化钼粉末放置于石英管式炉内的第一温区，形成第一介质层的半导体衬底设置于三氧化钼粉末的上方，半导体衬底与三氧化钼粉末的间距为1厘米至5厘米；将硫粉放置于石英管式炉的第二温区，其中硫粉与三氧化钼粉末的间距为17厘米至20厘米；其中，第一温区的温度设置为650摄氏度至800摄氏度，第二温区的温度设置为180摄氏度至

300摄氏度，石英管式炉在制备过程中始终通入30sccm的氩气，且氩气沿第二温区流向第一温区；保持第一温区650摄氏度至800摄氏度的时间为5分钟后，让石英管式炉自然冷却到室温，取出在所述介质层表面形成MoS2纳米线层的半导体衬底；在所述半导体衬底100表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形覆盖部分MoS2纳米线且所述光刻胶图形与待形成的线性排列的MoS2纳米线对应，采用刻蚀工艺去除未被覆盖的MoS2纳米线，然后去除所述光刻胶图形，形成若干间隔的MoS2纳米线且若干MoS2纳米线呈线性排列。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述传输线的形成工艺包括：采用光刻胶图形覆盖所述MoS2纳米结构，所述光刻胶图形暴露出若干所述第一介质层表面，所述光刻胶图形与待形成的传输线对应，采用物理气相沉积工艺在所述第一介质层表面形成金属薄膜；去除光刻胶图形，形成具有间隔的传输线。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述互补开口谐振环的结构为两个互相反向放置的同心开口谐振环，所述互补开口谐振环的形成工艺包括：在所述接地层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有与互补开口谐振环对应的图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述接地层，直至暴露出第二介质层；去除所述光刻胶图形，形成互补开口谐振环。