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专利号: 2016110306281
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-08-27
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:按照(1~1.3):6:6的摩尔比,将镱、锰和锗混合得到混合粉末A,将混合粉末A加入熔盐中混合均匀,得到混合粉末B;

步骤二:将混合粉末B封装在石英管中,排除石英管中的空气;

步骤三:将石英管放入加热装置中,从室温升温升至熔盐的熔点之上并保温24~48小时,然后降温至室温,完成单晶生长,将产物水洗得到YbMn6Ge6单晶。

2.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤一中的熔盐是氯化钠和氯化钾中的一种或者两种以任意摩尔比的混合物。

3.根据权利要求2所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:氯化钠和氯化钾的摩尔比为1:1。

4.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤一中镱、锰和锗的摩尔比为1.2:6:6。

5.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤一中熔盐的添加量为混合粉末A质量的1~10倍。

6.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤二中排除石英管中的空气直至真空度小于0.001Pa。

7.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤三中的升温速率为50~100℃/小时。

8.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤三中降温速率为1~2℃/小时。

9.根据权利要求1所述的一种熔盐法生长YbMn6Ge6单晶的方法,其特征在于:步骤三中升温至900~1100℃。