1.一种用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，包括柔性衬底(1)、应力缓冲复合层(3)、两片Pd薄膜阻挡层，其特征在于，所述应力缓冲复合层(3)形成在柔性衬底(1)上，所述两片Pd薄膜阻挡层形成在应力缓冲复合层(3)上，所述应力缓冲复合层(3)由Pd超薄层和Cu超薄层重复沉积形成，所述Pd超薄层和Cu超薄层的厚度范围均为1～5nm，所述重复沉积次数范围为20至50次，两片Pd薄膜阻挡层包括第一Pd薄膜(4)和第二Pd薄膜(5)。

2.根据权利要求1所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述两片Pd薄膜阻挡层为低阻残余压应力Pd薄膜。

3.根据权利要求2所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述柔性衬底(1)上还形成金属Cr或Al2O3过渡层(2)。

4.根据权利要求3所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述金属Cr或Al2O3过渡层(2)的厚度为100至500nm。

5.根据权利要求1‐4任意一项所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述应力缓冲复合层(3)在重复沉积后在300℃的温度下退火30分钟。

6.根据权利要求5所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述Pd超薄层和Cu超薄层由磁控溅射形成。

7.根据权利要求6所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述第二Pd薄膜(5)溅射条件为：工作气体压强0.4‐1.0Pa，溅射密度为2～2.5W/mm2。

8.根据权利要求6或7所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述Cu超薄层换成Ni超薄层。

9.根据权利要求6或7所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述Cu超薄层换成PdCu合金超薄层。

10.根据权利要求6或7所述的用于柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背接触层，其特征在于，所述Cu超薄层换成PdNi合金超薄层。