1.基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于按如下步骤：步骤一：硅基板的第一端固定；

步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；

步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；

步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。

2.如权利要求1所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：步骤二，激光照射硅基板10s。

3.如权利要求1或2所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：步骤二之后，测量硅基板的第二端温度。

4.如权利要求3所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：对硅基板的第二端端面至距离该端端面10um的区间进行温度测量。

5.如权利要求1所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：步骤四，通过绘制折线图统计激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。