1.一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：源区、漏区和栅极分布在一个有源区之内；所述栅极呈字母“Z”字形且将有源区分隔成源区和漏区；所述源区和漏区之间没有相交区域且被“Z”字形栅极半包围；栅极下是栅氧化层结构，且栅氧化层厚度小于

12nm。

2.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：所述的栅极是呈字母“Z”字形，栅极拐角处均为90度角，即“Z”字形栅由两端平行栅和一段中心栅组成。

3.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：“Z”字形栅极由多晶硅材料构成，且栅的宽度处处相同。

4.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：所述源区和漏区的面积大小相同，非对称的分布在中心栅的两侧。

5.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：栅极与隔离氧化物没有重叠区域。

6.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：“Z”字形栅极与隔离场氧有重叠区域。

7.根据权利要求7所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管版图结构，其特征在于：栅极与隔离氧化物有重叠区域，即仅与有源区重叠OV段距离，并要求OV至少大于50％的栅宽。

8.根据权利要求8所述的一种抗总剂量辐射加固的Z栅MOS晶体管，其特征在于：所述栅极由连续的“Z”字形栅构成；所述的栅极由连续的呈字母“Z”字形的栅构成，栅极可有多处拐角且拐角处均为90度角。