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专利号: 2016111155927
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种纳米片状偏钨酸铵,其特征在于:所述纳米片状偏钨酸铵的制备方法包括:

先配制质量分数为3~16wt%的硝酸铁水溶液,再按照每毫升硝酸铁水溶液加入0.067~0.133g碳酸铵形成絮状体混合溶液,搅拌均匀后再按照每毫升絮状体混合溶液加入

0.089~0.156g偏钨酸铵的比例加入偏钨酸铵,继续搅拌至偏钨酸铵完全溶解后将得到的絮状体混合溶液移入培养皿中进行静置自组装培养,待自然干燥后得到纳米片状偏钨酸铵。

2.如权利要求1所述的纳米片状偏钨酸铵,其特征在于:所述的硝酸铁水溶液的质量分数为4~15wt%,每毫升硝酸铁水溶液中加入的碳酸铵的质量为0.089~0.111g,每毫升絮状体混合溶液中加入的偏钨酸铵的质量为0.111~0.133g。

3.如权利要求1所述的纳米片状偏钨酸铵,其特征在于所述的制备方法按照如下步骤进行:先将配制好的7.8wt%硝酸铁水溶液进行超声或磁力搅拌分散,在得到均匀的硝酸铁水溶液后再按照每毫升硝酸铁水溶液加入0.095g碳酸铵得到均匀的絮状体混合溶液,然后按照每毫升絮状体混合溶液加入0.127g偏钨酸铵的比例将偏钨酸铵加入到上述溶液中,不断超声或搅拌,待其完全溶解后再转移到培养皿中进行静置自组装培养,经自然干燥后得到纳米片状偏钨酸铵。

4.一种CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料,其通过包括如下步骤的方法制备:

将权利要求1所述的纳米片状偏钨酸铵经气固反应还原碳化,得到CNT支撑的纳米片状WC复合材料,然后利用该复合材料中被还原的金属铁去置换含钯的溶液中的钯得到载钯的复合材料,再通过氧化煅烧得到CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料。

5.如权利要求4所述的CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料,其特征在于:所述CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料的具体制备过程如下:将纳米片状偏钨酸铵置于管式炉中在CH4和/或C2H2与H2的混合气氛下经过程序升温还原碳化后得到CNT支撑的片状WC复合材料,然后将CNT支撑的片状WC复合材料浸渍到含钯的溶液中于20~80℃下还原12~

48h,烘干后得到载钯的复合材料,然后将载钯的复合材料置于空气中于400~600℃进行氧化煅烧1~3h,最终得到CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料。

6.如权利要求5所述的CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料,其特征在于:所述的CH4和/或C2H2与H2的混合气氛中,CH4和/或C2H2与H2的体积比为1:0.2~0.8;程序升温的速率为2~8℃/min,还原碳化温度为750~950℃,最高温度还原碳化时间为2~4h。

7.如权利要求6所述的CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料,其特征在于:所述的CH4和/或C2H2与H2的混合气氛中,CH4和/或C2H2与H2的体积比为1:0.5;程序升温的速率为5℃/min;还原碳化温度为900℃,最高温度碳化时间为3h。

8.如权利要求5~7之一所述的CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料,其特征在于:

浸渍还原温度为50℃,还原时间为24小时。

9.如权利要求5~7之一所述的CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料,其特征在于:

氧化煅烧温度为450~550℃,煅烧时间为1.5~2.5h。

10.如权利要求4所述的CNT支撑的纳米片状氧化钨载钯复合材料作为催化剂在乙醇燃料电池中的应用。