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专利号: 2016111359799
申请人: 天津理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-01-05
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摘要:

权利要求书:

1.一种镁铝尖晶石的制备方法,其特征在于采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积制备,步骤如下:

1)将铝片用砂纸打磨去除表面氧化层,将含有镍或镍离子、镁或镁离子的混合物涂于铝片表面,待混合物风干后,将铝片放入直流电弧等离子体喷射化学气相沉积反应炉中,样品与阳极圈距离为0-40mm;

2)关闭反应炉送样口,先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空,直至反应炉的腔压、泵压均达到100Pa以下;

3)向真空室内通入H2、惰性气体和N2的混合气体,将真空度保持在腔压0-3000Pa、泵压

3000-20000Pa;

4)开启电源,施加电流和电压,调节样品与阳极圈距离使温度达到400-2300℃;

5)温度达到步骤4)要求范围开始计时,反应时间为1-100分钟,期间保持电压、电流、样品与阳极圈距离参数不变;

6)反应结束后,关闭电源,停止通入H2、惰性气体和N2的混合气体,继续抽真空至少5分钟,然后关闭真空系统,待系统冷却后,向反应炉中冲入空气,待反应炉气压与大气压相同时,打开反应炉取出制得的目标产品。

2.根据权利书要求1所述的镁铝尖晶石的制备方法,其特征在于:铝片纯度为99.99%、规格为10mm×20mm×2mm;镍或镍离子、镁或镁离子的混合物涂抹于铝片表面的量为1-2毫升。

3.根据权利书要求1所述的镁铝尖晶石的制备方法,其特征在于:步骤3)和步骤6)中所述H2、惰性气体和N2纯度皆为99.999%,H2流量为100-3000sccm,惰性气体流量为100-

3000sccm,N2流量为10-1000sccm。

4.根据权利书要求1所述的镁铝尖晶石的制备方法,其特征在于:步骤4)中所述施加的电流为120A,电压为60V。

5.根据权利书要求1或3所述的镁铝尖晶石的制备方法,其特征在于:所述的惰性气体为Ar或He或Ne中的一种。

6.根据权利书要求1或2所述的镁铝尖晶石的制备方法,其特征在于:镍或镍离子、镁或镁离子的混合物为硝酸镍、硝酸镁混合溶液,母液为纯度为≧99.7%的酒精,硝酸镍、硝酸镁含量均为0.6mol/L。