1.一种多晶硅的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：

A：将原料多晶硅研磨至粒度为36-260μm；

B：将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,保持

0.5h；再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃，保持0.5h，加热的同时不断抽气，然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；

C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗，酸洗工艺为：

C1：酸洗液配制，按照摩尔比氢氟酸8-10份：硝酸8-10份：去离子水70-75份配制酸洗液；

C2：将淬火后的多晶硅投入酸洗液中酸洗2-2.5小时，投入多晶硅的质量为酸洗液质量的3.5-7%酸洗液温度50℃-75℃，磁子搅拌速度为1500r/min；

C3：加入络合剂酸洗，在步骤C2完成后，在多晶硅和酸洗液的混合体系中加入络合剂，加入络合剂的摩尔数为氢氟酸摩尔数的0.4-0.6倍； 所述的络合剂为山梨醇或卫茅醇或甘露醇或β-D呋喃果糖；继续酸洗3-5h，然后过滤多晶硅，再用去离子水冲洗至中性，得提纯后的多晶硅。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅的提纯方法，其特征在于：步骤B中将研磨后的多晶硅在氩气保护下煅烧温度至650±45℃至时向煅烧炉内滴入甲醇，滴入甲醇的速度为每

100g多晶硅滴加量为50滴/min，直至煅烧结束。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅的提纯方法，其特征在于：步骤B中的冷水采用0℃的冰水混合物。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅的提纯方法，其特征在于：所述酸洗液采用以下摩尔比的物质配制而成：氢氟酸10份，硝酸9份，去离子水73份。