1.一种电容式MEMS气体传感器，其特征在于：该电容式MEMS气体传感器包括左右对称的两个梳齿电容(1)和设置在两个梳齿电容(1)之间的热执行器(2)；

所述梳齿电容(1)包括固定端和可动端；所述固定端包括锚区Ⅰ(13)和多根固定梳齿(12)，其中多根固定梳齿(12)与锚区Ⅰ(13)相连接；所述可动端包括多根可动梳齿(11)、质量块(16)、锚区Ⅱ(15)；多根可动梳齿(11)与质量块(16)相连接，锚区Ⅱ(15)横向设置在质量块(16)两侧，锚区Ⅱ(15)与质量块(16)之间弹性连接；所述固定梳齿(12)和可动梳齿(11)交替平行分布在锚区Ⅰ(13)和质量块(16)之间；固定梳齿(12)、可动梳齿(11)、质量块(16)为悬空结构；

所述热执行器(2)包括多根硅梁(21)、微梭(23)和锚区Ⅲ(22)；所述微梭(23)为横向设置的条状结构，左右两端分别连接两组梳齿电容(1)中的质量块(16)；所述锚区Ⅲ(22)与微梭(23)平行设置；微梭(23)与锚区Ⅲ(22)之间平行设置有多根硅梁(21)；硅梁(21)以微梭(23)为轴对称分布，微梭(23)和硅梁(21)为悬空结构；所述微梭上设置有金属层(4)，锚区Ⅰ(13)、锚区Ⅱ(15)和锚区Ⅲ(22)包含金属层(4)，锚区Ⅰ(13)和锚区Ⅱ(15)的金属层(4)为电容检测端，锚区Ⅲ(22)的金属层为热执行器(2)提供电源连接，锚区Ⅲ(22)的电源接通时，电流通过微梭(23)上的金属层(4)流过硅梁(21)。

2.根据权利要求1所述的电容式MEMS气体传感器，其特征在于：所述质量块(16)与所述锚区Ⅱ(15)之间通过折叠结构弹簧(14)相连接。

3.根据权利要求1所述的电容式MEMS气体传感器，其特征在于：所述锚区Ⅰ(13)、锚区Ⅱ(15)和锚区Ⅲ(22)包括金属层(4)、顶层硅和二氧化硅埋层构成的多层结构，其中所述顶层硅下方的二氧化硅埋层与硅衬底(3)直接相连。

4.根据权利要求1所述的电容式MEMS气体传感器，其特征在于：其中沿所述微梭(23)对称分布的两个硅梁(21)之间的夹角介于175-179度之间。

5.一种电容式MEMS气体传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：第一步，在SOI硅片上用扩散或离子注入的方法进行掺杂，使SOI硅片的顶层硅形成N型硅或者P型硅；

第二步，在所述顶层硅上制备二氧化硅层；

第三步，刻蚀所述二氧化硅层的微梭区域，形成掺杂所需要的窗口；

第四步，使用扩散或离子注入的方法使微梭(23)区域导电类型与所述顶层硅相反；

第五步，去除顶层硅之上剩余的二氧化硅；

第六步，刻蚀顶层硅，使顶层硅图形化；

第七步，蒸发金属，形成锚区Ⅰ(13)、锚区Ⅱ(15)、锚区Ⅲ(22)以及微梭(23)上的金属层(4)；

第八步，用光刻胶遮掩图形化的顶层硅部分，刻蚀SOI硅片中的二氧化硅埋层，刻蚀停止于硅衬底(3)；去除光刻胶后，SOI硅片上除图形化区域之外的部分只剩下硅衬底(3)；

第九步，在SOI硅片正面制备刻蚀保护层，保护层覆盖整个硅片的正面；

第十步，在SOI硅片背面进行光刻，形成可动梳齿(11)、固定梳齿(12)、折叠结构弹簧(14)、硅梁(21)、微梭(23)区域悬空部分的刻蚀窗口，刻蚀掉窗口部分的硅衬底(3)，刻蚀停止于二氧化硅埋层；

第十一步，刻蚀从硅衬底(3)露出的二氧化硅埋层，释放可动梳齿(11)、固定梳齿(12)、折叠结构弹簧(14)、硅梁(21)及微梭(23)；

第十二步，去除所述刻蚀保护层，对SOI硅片进行干燥。

6.根据权利要求5所述的电容式MEMS气体传感器的制备方法，其特征在于：采用湿法刻蚀或者DRIE深反应例子刻蚀所述硅衬底(3)。

7.一种根据权利要求1所述的电容式MEMS气体传感器的气体检测方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)测量所述MEMS气体传感器静态时，两个梳齿电容的电容差值△C0(2)在常温下、空气中，标定所测试气体的浓度与电容变化值的对应表；

(3)给所述锚区Ⅲ(22)施加第一电流，测试所述热执行器未动作时的所述两个梳齿电容差值△C，该△C为补偿值；

(4)施加测量电流到锚区Ⅲ(22)，测试所述两个梳齿电容差值△C1；

(5)所述电容差值△C1去除补偿值△C，对比所述对应表，得到所测量气体的浓度。

8.根据权利要求7所述的气体检测方法，其特征在于：所述第一电流小于0.5mA。

9.根据权利要求7所述的气体检测方法，其特征在于：所述测量电流介于5-10mA。

10.根据权利要求7所述的气体检测方法，其特征在于：所述气体包括甲烷或惰性气体。