1.一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜，其特征在于制备方法如下：

将硝酸锌，乙酰丙酮锌、硝酸镓和乙醇在20-80℃下混合并进行反应，陈化20-28h后形成镓掺杂氧化锌溶胶，然后将镓掺杂氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜，即为镓掺杂氧化锌减反射薄膜；其中配比溶液中硝酸锌的浓度为0.1-2mol/L，硝酸锌和乙酰丙酮锌物质的量比为1:0.8-1.2；镓离子的掺杂量为锌离子摩尔量的1-6%。

2.如权利要求1所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜，其特征在于：在制得所述镓掺杂氧化锌溶胶后，向镓掺杂氧化锌溶胶中添加其0.01-0.05倍质量的二氧化钛溶胶，然后搅拌均匀，得到混合溶胶。

3.如权利要求2所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜，其特征在于：制得混合溶胶后，向混合溶胶中添加其0.1-0.2倍质量的溶有硬脂酸的三氯甲烷，在60-70℃下搅拌反应20-40min；然后再添加混合溶胶0.1-0.3倍质量的月硅酸钠溶液，在40-60℃下搅拌反应20-40min，最后用乙醇清洗溶胶并置换原溶剂，制得疏水改性混合溶胶；其中，所述硬脂酸在三氯甲烷中的浓度为4-6wt%，所述月硅酸钠溶液的浓度为0.1-0.2mol/L。

4.如权利要求1所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜，其特征在于：所述镓掺杂氧化锌减反射薄膜的厚度为40-200纳米。

5.一种如权利要求1-4之一所述的硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于包括以下步骤：（1）硅片预处理并清洗干净；

（2）采用旋转涂膜、浸渍-提拉镀膜、喷雾镀膜，丝网印刷的方法将溶胶涂覆在预处理过的硅片表面之上，在95-105℃下烘干，然后在200-300℃下退火10-100min，即可生成镓掺杂氧化锌减反射薄膜。

6.如权利要求5所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片的预处理方法为：将硅片在5-15wt%的盐酸溶液中浸泡0.5-1.5h，然后取出洗净、干燥。

7.如权利要求5所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片为经过表面清洗、表面织构制备、PN结制备、刻边、表面钝化的单晶硅片或多晶硅片。

8.如权利要求5所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片为采用单晶硅片衬底，经过表面清洗、绒面制备、沉积5-50 nm非晶硅薄膜、形成异质结、沉积图形化顶电极的硅片。

9.如权利要求5所述的一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片为采用单晶硅片衬底，经过表面清洗、绒面制备、沉积10-150 nm PEDOT:PSS作为空穴传输层、沉积图形化顶电极的硅片。