1.一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜，其特征在于制备方法如下：

将硝酸锌、乙酰丙酮锌和乙醇在20-60℃下混合并进行反应，陈化20-28h后形成氧化锌溶胶，其中配比溶液中硝酸锌浓度为0.1-1mol/L，硝酸锌和乙酰丙酮锌物质的量比为1:

0.8-1.2；在制得所述氧化锌溶胶后，向氧化锌溶胶中添加其0.01-0.05倍质量的二氧化钛溶胶，然后搅拌均匀，得到混合溶胶；制得混合溶胶后，向混合溶胶中添加其0.1-0.2倍质量的溶有硬脂酸的三氯甲烷，在60-70℃下搅拌反应20-40min；然后再添加混合溶胶0.1-0.3倍质量的月硅酸钠溶液，在40-60℃下搅拌反应20-40min，最后用乙醇清洗溶胶并置换原溶剂，制得疏水改性混合溶胶；其中，所述硬脂酸在三氯甲烷中的浓度为4-6wt%，所述月硅酸钠溶液的浓度为0.1-0.2mol/L；然后将疏水改性混合溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜，即为ZnO减反射薄膜。

2.如权利要求1所述的一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜，其特征在于：所述ZnO减反射薄膜的厚度为40-200纳米。

3.一种如权利要求1或2所述的用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于包括以下步骤：（1）硅片预处理并清洗干净；

（2）采用旋转涂膜、浸渍-提拉镀膜、喷雾镀膜或丝网印刷的方法将溶胶涂覆在预处理过的硅片表面之上，在95-105℃下烘干，然后在200-400℃下退火20-100min，即可生成ZnO减反射薄膜。

4.如权利要求3所述的一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片的预处理方法为：将硅片在5-15wt%的盐酸溶液中浸泡0.5-1.5h，然后取出洗净、干燥。

5.如权利要求3所述的一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片为经过表面清洗、表面织构制备、PN结制备、刻边、表面钝化的单晶硅片或多晶硅片。

6.如权利要求3所述的一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片为采用单晶硅片衬底，经过表面清洗、绒面制备、沉积5-50 nm非晶硅薄膜、形成异质结、沉积图形化顶电极的硅片。

7.如权利要求3所述的一种用于硅太阳电池的ZnO减反射薄膜的镀膜方法，其特征在于：所述硅片为采用单晶硅片衬底，经过表面清洗、绒面制备、沉积10-150 nm PEDOT:PSS作为空穴传输层、沉积图形化顶电极的硅片。