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专利号: 2016112166882
申请人: 江南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-08-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种晶体材料,其特征在于,化学式为Cd7Ge(PO4)6,属于三方晶系,空间群为R-3,晶胞参数为 α=β=90°,γ=120°,Z=3。

2.制备权利要求1所述晶体材料的方法,其特征在于,采用溶剂热法制备,选用三乙胺、

1,2-丙二醇、水作为溶剂,将镉源、锗源、磷源混合形成的初始凝胶混合物,于160~190℃下晶化得到。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述初始凝胶混合物中,镉元素、锗元素、磷元素和氧元素的摩尔比为Cd:Ge:P:O=0.2~4.0:0.5~2:1.0~3:10~200。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述晶化温度为160~190℃,晶化时间不少于24小时。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述镉源任选自氧化镉、碳酸镉、硝酸镉、氯化镉中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述锗源任选自二氧化锗、甲氧基锗、四乙基锗中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述磷源任选自磷酸、磷酸二氢铵、磷酸二氢钾、磷酸氢二钾中的至少一种。

8.一种发光二极管或场发射显示器,其特征在于,含有权利要求1所述的晶体材料或根据权利要求2-7任一项所述方法制备得到的晶体材料。

9.权利要求8所述的发光二极管或场发射显示器用于在紫外波段的光源激发下的以

440nm处的蓝色荧光输出。