1.一种氮化硼刻蚀的方法，其特征在于，该方法具体步骤是：

步骤(1)、氮化硼薄膜的制备

将表面生长有300nm厚氧化层的放入石英管中；石英管中持续通入氩气和氢气的混合气，氩气与氢气的流量比为1～3:2,将电炉温度升至900～1000℃后保温5～30分钟；保温期间向石英管内通入硼氨烷蒸气；保温结束后，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～30℃/min，取出硅片，获得生长在硅片表面的氮化硼薄膜，氮化硼薄膜的厚度为20～300nm；其中硼氨烷蒸气通过水浴加热硼氨烷产生，水浴温度40～100℃；

步骤(2)、PDMS印章的制作

采用市售的道康宁Sylgard 184有机硅和光栅为原材料制备PDMS印章；PDMS制备过程：取道康宁Sylgard 184中的单体：引发剂10～3：1的体积比例，将它们混合，然后使用洁净的玻璃棒不停的搅拌1～3小时；搅拌1～3小时后，得到的混合试剂是一种粘度大的试剂，将混合试剂倒在光栅上，用玻璃棒使试剂均匀的涂覆在光栅表面，静置10～24小时；静置完成后，于50～70℃加热5～10小时得到PDMS弹性薄膜，将PDMS薄膜从光栅表面机械剥离获得表面有光栅图案的PDMS印章；

步骤(3)、氮化硼薄膜刻蚀图案的制备

取氮化硼薄膜，在氮化硼薄膜表面滴加氧化石墨烯溶液，氧化石墨烯的浓度为0.1-

10mg/ml,每平方毫米氮化硼薄膜上滴加0.02-0.1ml；然后裁剪PDMS印章，将印有光栅图案的一面，覆盖氮化硼薄膜表面，将氧化石墨烯溶液夹在PDMS印章和氮化硼薄膜之间，使PDMS印章与氮化硼薄膜接触紧密；整个过程置于通风橱内；6～20小时后将PDMS印章与氮化硼薄膜分离，获得表面有氧化石墨烯刻蚀图案的氮化硼薄膜基片；

步骤(4)、氮化硼薄膜的刻蚀

把二硫化钼粉体放入烧杯形状的石英坩埚中，将表面转印有氧化石墨烯的氮化硼基片覆盖在石英坩埚的口部，基片表面有氮化硼的面朝向石英坩埚内部；将盛有二硫化钼的石英坩埚和氮化硼基片放入石英管中，石英管中充入氩气和氢气的混合气至1个大气压，氩气与氢气的流量比为1～3:2,将石英管温度升至400～600℃后保温1～12小时，停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～30℃/min，取出氮化硼薄膜，获得刻蚀后有一定图形的氮化硼薄膜。