1.一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，其特征在于：包括高速场效应管器件高阻抗驱动电路，高速场效应管器件开关电路，脉冲信号产生模块，肖特基二极管SBD1、SBD2，第一电感L1、电容C；

脉冲信号产生模块，高速场效应管器件高阻抗驱动电路与高速场效应管器件开关电路连接，高速场效应管器件开关电路包括主开关模块(S1)和辅助开关模块(S2)，主开关模块(S1)和辅助开关模块(S2)均为场效应管，两场效应管并联连接、且两场效应管漏级和源极之间均连接有二极管，电源Ed1、第一二极管D1、第二电感L2串联后连接在辅助开关模块(S2)场效应管漏级和源极，第二二极管D2和稳压管ZD1反向串联后连接在主开关模块(S1)和辅助开关模块(S2)的两场效应管漏级之间；

LED阳极与直流偏压电源Vcc相连接，LED阴极与高速场效应管器件开关电路连接，两个串联的肖特基二极管SBD1、SBD2与电容C并联连接在LED阳极和偏压电源Vcc之间；第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间；

脉冲信号产生模块产生一个脉冲信号，经过高速场效应管器件高阻抗驱动电路对脉冲信号进行放大输出，输出信号送入高速场效应管器件开关电路控制LED发光。

2.如权利要求1所述的InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，其特征在于：LED阳极与直流偏压电源Vcc之间连接有限流第一电阻R1。

3.如权利要求1所述的InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，其特征在于：第一电感L1串联有限流第二电阻R2，第一电感L1和第二电阻R2连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间。

4.如权利要求1所述的InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，其特征在于：脉冲信号产生模块输出高速窄脉冲信号，输出频率≥10MHz脉冲宽度≤2ns。

5.如权利要求1所述的InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，其特征在于：场效应管器件采用高速MOSFET晶体管芯片，静态漏源电阻≤250mΩ，上升时间≤1ns,下降时间≤1.5ns。