1.小介电常数高Q值的微波复合陶瓷，其特征在于，该小介电常数高Q值的微波复合陶瓷的化学表达式为(1-z)[(MgxZny)SiO2+x+y]-zTiO2，其中0.65≤x≤0.95；1.0≤y≤1.22；

1.75≤x+y≤1.95；0.1≤z≤0.25摩尔比含量；以MgO、ZnO、SiO2和TiO2为原料，按照MgO：ZnO：SiO2：TiO2＝x(1-z)：y(1-z)：(1-z)：z摩尔比制成。

2.根据权利要求1所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷，其特征在于，所述的原料为MgO、ZnO、SiO2和TiO2按照MgO：ZnO：SiO2：TiO2＝x(1-(0.14～0.22)):y(1-(0.14～

0.22)):(1-(0.14～0.22)):0.14～0.22摩尔比配比混合而成。

3.根据权利要求1所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷，其特征在于，所述的原料为MgO、ZnO、SiO2和TiO2按照MgO：ZnO：SiO2：TiO2＝0.84x:0.84y:0.84:0.16摩尔比配比混合而成。

4.根据权利要求1所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷，其特征在于，所述的原料为MgO、ZnO、SiO2和TiO2按照MgO：ZnO：SiO2：TiO2＝(1-z)(0.7～0.9):(1-z)(1.05～1.15):(1-z)：z摩尔比配比混合而成。

5.根据权利要求1所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷，其特征在于，所述的原料为MgO、ZnO、SiO2和TiO2按照MgO：ZnO：SiO2：TiO2＝0.8(1-z):1.1(1-z):(1-z)：z摩尔比配比混合而成。

6.根据权利要求1所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷，其特征在于，所述的原料为MgO、ZnO、SiO2和TiO2按照MgO：ZnO：SiO2：TiO2＝0.672:0.924:0.84：0.16摩尔比配比混合而成。

7.权利要求1～6任一所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的制备方法按如下步骤进行：步骤1，按照原料配比称取原料；

步骤2，将步骤1的原料放入球磨机中，加入去离子水和氧化锆球，球磨2～8小时，再将球磨后的原料烘干，过筛，得颗粒均匀的粉料；

步骤3，将经过步骤2处理的粉料升温至1050℃-1150℃，保温2～8小时，得预烧料；

步骤4，将经过步骤3处理的预烧料放入球磨机中，加入去离子水和氧化锆球，球磨2～

12小时，最后将球磨后的原料烘干；

步骤5，取步骤4经烘干后的预烧料加入聚丙烯醇PVA溶液，造粒，再用粉末压片机压制成坯体；

步骤6，将坯体在空气中于1250～1400℃下经过2～12小时烧制，得产品。

8.根据权利要求7所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤2中所述的球磨时间为6小时；步骤3中所述的升温为1100℃，保温4小时；步骤4中所述的球磨时间为6小时；步骤6中所述的坯体于1300℃下烧制6小时。

9.根据权利要求7所述的小介电常数高Q值的微波复合陶瓷的制备方法，其特征在于，该小介电常数高Q值的微波复合陶瓷的制备方法还包括，在步骤6之后，通过网络分析仪测试制品的微波介电性能，测试的微波介电性能包括介电常数εr、品质因数Qf以及谐振频率温度系数τf。