1.一种基于深N阱结构的单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：p衬底层(9)、边n阱层(8)、深n阱层(6)、p+层(5)、中心n阱层(4)、p阱层(3)、p+阳极层(1)及n+阴极层(2)，所述p衬底层(9)在最外层，在p衬底层(9)上的中间位置处设置有深n阱层(6)，在所述深n阱层(6)正上方上设置有中心n阱层(4)，深n阱层(6)的周围设置有边n阱层(8)，在中心n阱层(4)和边n阱层(8)之间有由轻掺杂磷离子扩散而成的n阱间隙层(7)，在中心n阱层(4)的上方为p+层(5)及p+阳极层(1)及n+阴极层(2)，在p+层(5)两侧轻掺杂形成保护环p阱层(3)，其中p+层(5)和中心n阱层(4)形成雪崩倍增区，所述中心n阱层(4)和深n阱层(6)是光吸收主要区域，深n阱层(6)和p衬底层(9)使p+层(5)独立偏置于衬底，p+层(5)和中心n阱层(4)边缘用p阱层(3)与n阱间隙层(7)用作保护环，用于抑制边缘的提前击穿；

所述n阱间隙层(7)的宽度范围为调节n阱保护环宽度，分别设置为0.3μm、0.5μm、0.7μm、1.0μm、1.5μm，当扩散n阱保护环宽度gap为0.3或0.5μm时，电压在9V附近时，当扩散n阱保护环宽度gap为0.7μm时，电压在10V附近发生边缘击穿；当扩散n阱保护环宽度gap为1.0或

1.5μm时，电流曲线在12.5V，在电压为14V附近时，结中心位置发生雪崩击穿，采用gap为1.0μm；

所述光吸收主要区域接收的入射光波长定为680nm，n阱深度设为1.4μm，

深n阱厚度设为0.6μm，过偏压最大为2V；

当单光子雪崩二极管直径为10um时，采用的过偏压为1V，此时探测效率最高。

2.根据权利要求1所述的基于深N阱结构的单光子雪崩二极管，其特征在于，所述光子探测效率的公式，如下

可见探测效率实际上是量子效率与雪崩击穿概率的乘积，α表示量子效率PDE表示探测效率，VBR表示击穿电压，V表示器件偏置电压。

3.一种基于深N阱结构的单光子雪崩二极管的制作方法，其特征在于，包括以下工艺：

一：硅材料中均匀掺杂硼离子，形成p衬底；

二：在p衬底器件中间位置由带有高能量的离子注入工艺完成深n阱层；三：在深n阱之上的由扩散工艺实现中心n阱层的生成，深n阱层(6)的周围扩散工艺生成边n阱层；由轻掺杂磷离子扩散而形成n阱间隙层(7)，形成虚拟保护环；

四：最上层的p+层(5)、p+阳极(1)和n+阴极(2)由不同能量的离子注入形成；最后在p+两侧轻掺杂形成p阱保护环，p阱保护环和n阱间隙层(7)紧邻设置，虚拟保护环和p阱保护环共同形成保护环，其中p+层和中心n阱层结形成雪崩倍增区，为器件的核心区域；n阱(4)和深n阱层(6)是光吸收主要区域，p+/n阱结边缘用p阱(3)与扩散n阱用作保护环，完全抑制边缘的提前击穿。