1.一种Cu2O纳米阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L 0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片~作阳极，Pt片作阴极，在15 V 35 V的阳极氧化电压下氧化2  18分钟，即在Cu片上获得光电~ ~压达到0.0801～0.2693 V的Cu2O纳米阵列。