1.一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料，所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39，所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成，所述扇形纯Cu片中扇形的面积为扇形对应圆形面积的1/16，所述复合靶材中扇形纯Cu片叠放在Sn46Se54靶中心处。

2.根据权利要求1所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料厚度均为50nm，所述Sn46Se54靶直径为50.8mm，叠放的扇形纯Cu片的直径为

50.8mm。

3.一种权利要求1所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：

1)清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；

2)安装好Sn46Se54溅射靶材和扇形纯Cu片构成的复合靶材Cux(Sn46Se54)100-x；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；

3)采用室温磁控溅射方法制备Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质，其具体步骤为：a)在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；

b)在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；

c)在120℃烘箱内烘干水汽，20分钟。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)安装好Sn46Se54溅射靶材和扇形纯Cu片构成的复合靶材Cux(Sn46Se54)100-x；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压，其具体步骤为：a)装好Sn46Se54溅射靶材，将直径为50.8mm的扇形纯Cu片叠放在Sn46Se54靶材的中心构成复合靶材，并将本底真空抽至1×10-4Pa；

b)设定溅射功率20W；

c)使用高纯Ar气作为溅射气体，设定Ar气流量为30sccm，并将溅射气压调节至0.4Pa。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述Sn46Se54溅射靶材原子百分比纯度达到99.999％，所述扇形纯Cu片的原子百分比纯度均达到99.999％；所述Ar气体积百分比纯度达到99.999％。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中采用室温磁控溅射方法制备Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料，具体包括以下步骤：a)将空基托旋转到Cux(Sn46Se54)100-x复合靶靶位，打开靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对Cux(Sn46Se54)100-x复合靶材表面进行溅射，清洁靶位表面；

b)Cux(Sn46Se54)100-x复合靶表面清洁完成后，关闭Cux(Sn46Se54)100-x复合靶靶位上所施加的射频电源，将步骤1)中清洗之后的SiO2/Si(100)基片旋转到Cux(Sb46Se54)100-x复合靶靶位，打开Cux(Sn46Se54)100-x复合靶靶位上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Cu-Sn-Se薄膜。

8.一种权利要求1所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料的用途，其特征在于：所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料用于制备高速相变存储器。