1.一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，包括LED芯片、设置在LED芯片处的透光结构以及微型PCB基板散热结构；所述透光结构位于LED芯片的上方，基板散热结构位于下方；

所述透光结构包括矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、以及用于增强聚光效应的反射杯；所述LED芯片固定在反射杯内；所述矽胶层、封装胶层先后覆盖在LED芯片的多个表面上，所述矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜由内而外依次覆盖在LED芯片上；

所述微型PCB基板散热结构包括PCB基板、设置在PCB基板上的第一铜层、以及导电导热胶层；所述第一铜层覆盖在PCB基板的上表面，所述导电导热胶层固定在第一铜层上，与第一铜层电气连接；所述LED芯片底部设有两个用于电气连接的焊盘，所述焊盘与导电导热胶层连接。

所述PCB基板包括上表层、中间层和下表层，所述上表层中部设有一凹槽，所述凹槽内由下往上依次设有第二铜层、SiC层和第二导热胶层；所述第二导热胶层的中部向上凸起形成凸台，所述凸台的顶部与LED芯片底部接触，两侧与焊盘接触；所述中间层为PCB基板的绝缘介电层，所述下表层为铝层。

2.根据权利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，还包括起固定和保护作用的外封装支架，所述外封装支架的一端固定在微型PCB基板上，另一端向上延伸将LED芯片及透光结构包围。

3.根据权利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述反射杯的外侧还设有用于吸收光线的光吸收层。

4.根据权利要求3所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述外封装支架与光吸收层之间设有第一导热胶层。

5.根据权利要求1所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述PCB基板上还设有用于快速散热的散热孔，所述散热孔从PCB基板的上表层贯穿至下表层，所述散热孔内填充铜。

6.根据权利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述封装胶层、透镜和增透膜的顶部均为向上凸起结构；所述增透膜的高度大于反射杯和外封装支架的高度。

7.根据权利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述封装胶层、透镜和增透膜的顶部均为向上凸起结构；所述反射杯与外封装支架向上延伸且高于增透膜。

8.根据权利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述封装胶层和透镜顶部均为向上凸起结构；所述反射杯与外封装支架向上延伸，且与增透膜齐平，所述增透膜的顶部水平。

9.根据权利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述封装胶层、透镜和增透膜的顶部均为向上凸起结构；所述反射杯与外封装支架向上延伸，且高于增透膜，反射杯内形成凹腔，所述凹腔填充折射匹配材料。

10.根据权利要求2所述的大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，其特征在于，所述封装胶层的顶部为向下凹陷结构，所述透镜和增透膜的顶部均为向上凸起结构；所述反射杯与外封装支架向上延伸，且高于增透膜。