1.一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0

2.根据权利要求1所述的一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的相变存储薄膜材料的化学结构式为(Er)1.4(Ge2Sb2Te5)98.6。

3.根据权利要求1所述的一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料，其特征在于：所述的(Er)x(Ge2Sb2Te5)100-x相变存储薄膜材料由Ge2Sb2Te5合金靶和Er单质靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶共溅射获得。

4.一种权利要求1所述的稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于采用双靶共溅射方法获得，具体步骤如下：在磁控溅射镀膜系统中，采用石英片或氧化硅片为衬底，将稀土Er靶材安装在磁控直流溅射靶中，将Ge2Sb2Te5靶材安装在磁控射频溅射靶中，将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至室内真空度达到2.0×10-4Pa，然后向溅射腔室内通入体积流量为50ml/ min的高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需起辉气压0.2Pa，然后控制Er靶的溅射功率为0-4W，合金Ge2Sb2Te5靶的溅射功率为70-78W，于室温下溅射镀膜，溅射100nm，即得到沉积态的Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料；随后放入快速退火炉中，在高纯氩气氛围保护下，迅速升温至200-350℃下进行退火，即得到热处理后的稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料，其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0

5.根据权利要求4所述的一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料制备方法，其特征在于：所述的相变存储薄膜材料的化学结构式为(Er)1.4(Ge2Sb2Te5)98.6。