1.一种多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将Na2WO4溶于乙二醇中，配成溶液A，将Bi(NO3)3溶于乙二醇中，配成溶液B；按Bi与W的摩尔比为(1.5～2):1，将溶液A滴加入溶液B中并搅拌，配制成无色澄清的混合溶液，继续搅拌使其混合均匀，得到Bi2WO6前驱溶液；将Bi2WO6前驱溶液静置10～12h，得到无色澄清的Bi2WO6溶胶；

步骤2：将Bi2WO6溶胶旋涂在导电玻璃基片上，形成Bi2WO6湿膜，Bi2WO6湿膜经烘烤后得到Bi2WO6干膜，Bi2WO6干膜经退火后得到Bi2WO6薄膜；其中，Bi2WO6湿膜的烘烤温度为180～

200℃，烘烤时间为8～10min；退火时是以8～10℃/min的升温速率将Bi2WO6干膜升到300～

500℃的退火温度，并在该温度下退火，退火保温时间为15～20min；

步骤3：待Bi2WO6薄膜自然冷却后，在Bi2WO6薄膜上重复步骤2，直至达到所需厚度，即得到多孔网状结构的钨酸铋薄膜。

2.根据权利要求1所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述溶液A的浓度为0.2～0.3mol/L，溶液B的浓度为0.4～0.6mol/L。

3.根据权利要求1所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1中在配制成混合溶液后，继续搅拌1～1.5h使其混合均匀，得到Bi2WO6前驱溶液。

4.根据权利要求1所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2进行前，先将裁切好的导电玻璃基片清洗干净，然后在紫外光下照射处理，使导电玻璃基片表面达到原子清洁度。

5.根据权利要求1所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述导电玻璃基片为FTO玻璃基片、ITO玻璃基片或Si基片。

6.根据权利要求1所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中旋涂Bi2WO6溶胶时的匀胶转速为3500～4000r/min，匀胶时间为7～10s。

7.权利要求1-6中任意一项所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜的制备方法制得的多孔网状结构的钨酸铋薄膜，其特征在于：该钨酸铋薄膜具有整齐的狭长孔道网状结构，孔道长度为400～500nm，宽度为300～400nm；其晶型为正交相Bi2WO6，空间群为Pca21(29)；在300W氙灯的模拟太阳光照射条件下，其光电流大小为0.51～0.84mA/cm2。

8.权利要求7所述的多孔网状结构的钨酸铋薄膜在光催化降解有机污染物方面的应用。