1.一种采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于包含以下步骤：

(1)将陶瓷粉料混合，再进行湿法球磨、喷雾造粒、过筛，得到用于成型的成型料，将成型料置于模具中压制成型，得到坯体，并在坯体上制作出花纹，最后将坯体置于烧炉中烧结，待冷却后再进行表面磨平修正，即得到陶瓷抛光盘；

(2)配置以甲胺水溶液作为腐蚀介质，铁氰化钾为氧化剂，添加pH调节剂、表面活性剂、粘度调节剂、缓蚀剂和光亮剂的碱性抛光液；

(3)将抛光盘装配于抛光机上，并把氮化铝材料用石蜡粘结在氧化铝基板上，然后置于夹具中，放在步骤(1)得到陶瓷抛光盘上，抛光盘表面和氮化铝表面接触，夹具中心气动加压，一边缓慢滴入步骤(2)得到的碱性抛光液一边抛光加工。

2.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于步骤1所述的陶瓷抛光盘具体制备步骤如下：步骤1：按照如下质量份称取组分：氧化铝粉70～85份、氧化锆粉3～14份、填料3～6份、湿润剂1.5～4份、添加剂0.5～3份、造孔剂1～5份、烧结助剂5～8份；

步骤2：将步骤1中所述粉料混合均匀，置于球磨机中，加入溶剂混合15～36小时，得到混合浆料；

步骤3：将步骤2中所述混合浆料利用喷雾干燥造粒工艺制得造粒料，并过筛1～2次得到用于成型的成型料，过筛的筛网目数为200～300目；

步骤4：将步骤3中所述成型料倒入模具中，采用液压机干压成型，成型压力为100～

200Mpa，保持时间为10～15秒；

步骤5：将步骤4中成型后得到的坯体表面制作出圆环形花纹；

步骤6：将步骤5中所述坯体置于烧炉中进行烧结，先以2～4℃/分钟的升温速率升温至

300～500℃并保温50～70分钟，再以4～6℃/分钟的升温速率升温至900～1100℃并保温50～70分钟，最后1～3℃/分钟的升温速率升温至1200～1400℃并保温80～110分钟。烧结完成后冷却至室温，再进行磨平修正，即得到陶瓷抛光盘。

3.根据权利要求书2所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于所述的造孔剂是精萘，焦炭，核桃壳，碳酸氢铵和小苏打中的一种或多种；所述的填料为石英粉，长石粉，滑石粉和萤石粉中的一种或多种；所述的湿润剂为聚乙烯醇、糊精中的一种；所述的添加剂为铜粉，铝粉，石墨和碳化硅中的一种或多种；所述的烧结助剂为氧化镁，氧化钙，氧化硅和氧化锰中的一种或多种。

4.根据权利要求书2所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于步骤3中所述的球磨机为湿式球磨机，球磨机的转速为50～300转/分钟，球磨机中的添加溶剂为去离子水，浆料与球磨子的质量比为1.5:1～1.5。

5.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于所述的碱性抛光液，包含如下质量份的各组分：铁氰化钾4～25份，甲胺水溶液1～

12份，pH调节剂2～7份，表面活性剂1～5份，粘度调节剂3～8份，缓蚀剂0.1～1份，光亮剂

0.5～3份。

6.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于所述pH调节剂包括无机碱和有机碱，无机碱为氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中的一种或两种，有机碱为三乙醇胺、四经基乙二胺、六经基丙基丙二胺乙二胺、四甲基氢氧化胺中的一种或两种；所述表面活性剂为硬脂酸、十二烷基苯磺酸钠中的一种或两种；粘度调节剂为纤维素醚；所述缓蚀剂包括乌洛托品、硫脲、糊精、烟酸、尿素、山梨醇、磺基水扬酸、苯甲酸钠和水扬酸中的至少一种；所述光亮剂包括硫酸铜、硫酸镍、硫酸钴和含硫有机物中的至少一种。

7.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于所述的碱性抛光液，其特征在于其所述的铁氰化钾浓度为2～6％，甲胺溶液浓度为0.05～0.15％。

8.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于所述的碱性抛光液的pH值为9～13。

9.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于抛光机基盘上的陶瓷抛光盘被其下方旋转轴带动，抛光液由导管控制以5～50ml/分钟的流速喷出，均匀散布于抛光盘上，氮化铝材料被石蜡粘结在氧化铝基板上，并被固定于夹具中，夹具中气动加压，保持抛光盘表面和氮化铝表面接触，进行抛光加工。

10.根据权利要求书1所述的采用化学抛光液和陶瓷抛光盘的氮化铝基片抛光方法，其特征在于所述抛光盘转速为28～150RPM，夹具压力为0.3～20MPa，抛光温度为18～37摄氏度，抛光时间为10～30分钟。