1.一种ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下步骤：

1）多孔还原石墨烯的制备

称取2-8mg的多孔石墨烯粉末，将其与10ml的DMF混合，配制成浓度为0.2-0.8mg/ml多孔石墨烯-DMF悬浮液，之后把上述悬浮液用多层保鲜膜密封，在室温下不连续超声处理

72h，得到多孔石墨烯分散液，经24h静置，通过转速为4000r/min进行离心处理，然后吸取上层液体于洁净玻璃瓶中，得多孔石墨烯分散液；将Ag叉指电极分别在丙酮，无水乙醇，去离子水中进行超声清洗，然后放入温度为110℃的干燥箱中预热处理1h；取1ml已配置好的多孔石墨烯分散液，利用喷嘴直径为0.2mm的喷枪喷涂在经过预处理的Ag叉指电极表面，然后在110℃下干燥处理，将干燥好的Ag叉指电极在通入Ar保护气的条件下，450℃进行热处理

0.5h；

2）在RGO表面原位生长ZnO种子层

将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O 和Al(NO3)3.9H2O与乙醇在室温条件下混合，使Zn2+浓度为0.2mol/L，放在水浴锅中，用磁力搅拌器在70℃下加热搅拌1h，得到均匀的溶液，将步骤1）热处理后的Ag叉指电极利用SYDC-100浸渍提拉机进行提拉，提拉速度为6000μm/s，浸渍时间为30s，然后在80℃下干燥10min；反复提拉4次；然后在通有Ar气保护的气氛热处理程控高温炉中400℃下热处理30min，得到ZnO种子层/RGO复合薄膜；

3）在RGO表面原位生长ZnO纳米墙

将Zn(NO3)26H2O与(CH3)6N4按摩尔比为1:1配制成0.05mol/L的溶液，70℃加热搅拌1h，当溶液中开始出现浑浊后，停止搅拌，将溶液倒入水热反应釜的聚四氟乙烯内胆中，并将步骤2）得到的ZnO种子层/RGO复合薄膜垂直插入其中，80℃恒温生长5h；取出后用去离子水冲洗并干燥，最后在通有Ar气保护的气氛热处理程控高温炉中450℃下热处理1 h，在Ag叉指电极表面得到ZnO纳米墙/RGO薄膜；

4）老化制得成品：

将步骤3）得到的ZnO纳米墙/RGO薄膜放在CGS-1TP智能气敏分析系统控温台样品区，调节两探针，使其与电极片的两端接触，室温时，在照射功率100%的365nm波段光光照条件下进行老化，老化时间为1.5h。

2.如权利要求1所述的制备方法制得的ZnO纳米墙RGO异质结光电气敏传感器。