1.二次电子倍增阴极电子枪，包括阴极杆、阳极筒和聚焦磁场产生装置，其特征在于：所述阴极杆由位于同一轴线上的圆柱形金属导体、圆台形金属导体、场致发射端头以及介质端头组成；所述圆台形金属导体下底连接在圆柱形金属导体顶端，圆台形金属导体下底直径与圆柱形金属导体直径相等，所述圆台形金属导体上底与场致发射端头连接，所述场致发射端头为圆柱形，其直径与圆台形金属导体上底直径相等，所述介质端头为圆柱形，其直径与场致发射端头直径相等，所述介质端头与场致发射端头连接，所述介质端头柱面和/或顶面覆盖有二次电子倍增材料；

所述阳极筒由位于同一轴线上依次相连的金属大圆筒、空心金属圆台和金属小圆筒组成；所述金属大圆筒直径＞圆柱形金属导体直径，所述空芯金属圆台下底直径与金属大圆筒直径相等，所述空芯金属圆台上底直径与金属小圆筒直径相等；

所述阳极筒与阴极杆共轴，所述阴极杆位于阳极筒内，所述介质端头朝向金属小圆筒这边；

所述聚焦磁场产生装置包裹在阳极筒外部，用于产生磁场，所述磁场为轴对称磁场，其对称轴与阴极杆轴线重合，所述磁场方向与所述介质端头朝向相同。

2.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述场致发射端头材料的逸出功小于外加电场提供的能量。

3.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述二次电子倍增材料为碱土金属氧化物。

4.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述场致发射端头材料为镧系金属硼化物。

5.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述介质端头至少部分伸入所述空芯金属圆台中。

6.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述聚焦磁场产生装置由线圈、永磁体或超导磁体构成。

7.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述圆柱形金属导体和圆台形金属导体是由同种材料制成的一体化部件。

8.根据权利要求1所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述阳极筒是由同种材料制成的一体化部件。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述场致发射端头柱面上分布有场致发射尖端。

10.根据权利要求9所述的二次电子倍增阴极电子枪，其特征在于，所述场致发射尖端为底面大顶面小的圆台形凸起，其顶面法线与阴极杆轴线垂直。