1.一种制造太阳能电池的方法，包括以下步骤：

（1）提供待封装电池片，并形成连接所述电池片的受光面和背光面的导电通孔；

（2）提供第一硅片，所述第一硅片的形状与尺寸与所述电池片一致；

（3）在所述第一硅片的上表面涂覆光刻胶，并进行图案化以形成多个开口，所述多个开口漏出所述第一硅片的上表面；

（4）以所述光刻胶为掩膜，采用各向同性腐蚀液腐蚀所述硅片，以形成多个碗形的凹槽；

（5）去除所述光刻胶，并对所述第一硅片的下表面进行研磨抛光，直至露出所述凹槽的底部形成碗形的过孔，所述过孔具有在第一硅片的上表面的上开口和与其相对的下开口，所述上开口口径大于所述下开口口径；

（6）将所述第一硅片的上表面贴于所述电池片的背面，所述过孔分别对应于待形成太阳能电池的正面电极和背面电极的位置；

（7）以所述第一硅片为掩膜对所述电池片的背光面进行导电材料的涂覆并退火，然后去除所述第一硅片以形成第一碗形电极。

2.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：还包括步骤（8）对所述第一碗形电极进行打磨抛光，形成所述正面电极和背面电极。

3.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述碗形的过孔深度为

0.2-0.5mm。

4.根据权利要求3所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述上开口的口径为

0.5-1mm。

5.根据权利要求4所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述下开口的口径为

0.2-0.5mm。

6.根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：还包括步骤（9）制备带有碗形的第二过孔的第二硅片，将所述第二硅片贴于所述电池片的受光面，所述第二过孔的位置分别对应于所述导电通孔的位置，以所述第二硅片为掩膜对所述电池片的受光面进行导电材料的涂覆并退火，然后去除所述第二硅片以形成第二碗形电极。

7.根据权利要求6所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：还包括步骤（10）对所述第二碗形电极进行打磨抛光，形成正面电极接触点。

8.根据权利要求7所述的制造太阳能电池的方法，其特征在于：所述正面电极接触点通过所述导电通孔连接所述正面电极。