1.一种球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)TiO2前驱液的配置：

室温下，向去离子水中加入(NH4)2TiF6，搅拌至澄清，然后加入硼酸，搅拌至澄清，最后加入稀硝酸，调节pH值至1～4，并搅拌至澄清，得TiO2前驱液；其中加入的(NH4)2TiF6和硼酸的摩尔比为(1～3):(1～2)；

2)SnO2/玻璃基板的功能化：

将SnO2/玻璃基板洗涤干净后置于184.9nm的紫外光下照射20～40min，使SnO2/玻璃基板表面形成羟基单分子层；

3)薄膜的自组装：

将SnO2/玻璃基板的羟基单分子层一面悬浮于TiO2前驱液表面进行自组装吸附，利用基板表面的羟基层与TiO2前驱液中小分子[Ti(OH)6]2-中的OH进行聚合反应，异相成核自组装-形成非晶态的玻璃/SnO2-O-[Ti(OH)5] 前驱薄膜，再在室温下干燥，得到玻璃/SnO2-O-[TiO3H)]-非晶薄膜；

4)薄膜的层层自组装：

将玻璃/SnO2-O-[TiO3H)]-非晶薄膜在184.9nm的紫外光下照射20～40min，使其表面形成羟基单分子层，然后将该羟基单分子层悬浮于TiO2前驱液表面，对TiO2前驱液中的[Ti(OH)6]2-进行自组装聚合吸附，形成玻璃/SnO2-O-[TiO3H)]--O-[TiO3H)]-非晶薄膜，再在室温下干燥；如此反复多次层层自组装直至达到所需厚度，得到非晶态玻璃/SnO2-O-TiO2复合薄膜；

5)薄膜的晶化

将非晶态玻璃/SnO2-O-TiO2复合薄膜放入马弗炉中，从室温升到250～550℃，保温60～

180min，再自然冷却至室温，即得到球状氧化钛/二氧化锡光电极。

2.根据权利要求1所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中加入(NH4)2TiF6后搅拌10～20min至澄清，加入硼酸后搅拌20～40min至澄清，加入稀硝酸后搅拌10～20min至澄清。

3.根据权利要求1所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中TiO2前驱液中Ti元素的浓度为0.010～0.030mol/L。

4.根据权利要求1所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法，其特征在于，所述步骤3)和步骤4)中TiO2前驱液的温度为60～65℃，自组装聚合的时间为10～13h。

5.根据权利要求1所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法，其特征在于，所述步骤3)和步骤4)中的干燥时间为6～8h。

6.根据权利要求1所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法，其特征在于，所述步骤9)中的升温速度为10～30℃/min。

7.权利要求1-6中任意一项所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极的制备方法制得的球状氧化钛/二氧化锡光电极，其特征在于，所述球状氧化钛/二氧化锡光电极中TiO2的晶型为红锌矿型，具有I41/amd空间对称性，SnO2的晶型为金红石型，空间对称性为P4/mnm；TiO2的形貌为球状纳米结构，其球状直径为48～73nm。

8.根据权利要求7所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极，其特征在于，在模拟太阳光照射下，所述球状氧化钛/二氧化锡光电极在1.50V条件下产生0.11mA/cm2电流密度。

9.根据权利要求7所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极，其特征在于，所述球状氧化钛/二氧化锡光电极在光照开始后光电流密度由0.073mA/cm2快速衰减为0.050mA/cm2，所述球状氧化钛/二氧化锡光电极中光生电子-空穴对在光电极/溶液界面发生的表面复合过程中的复合几率为31.5％。

10.权利要求7-9中任意一项所述的球状氧化钛/二氧化锡光电极在可见光下光催化降解有机污染物方面的应用。