1.一种平面阵列电极电容传感器，其特征在于，包括绝缘外壳(1)和测量电极(3)；所述测量电极(3)共有十二个，且均安装在绝缘外壳(1)上，十二个测量电极(3)在绝缘外壳(1)上形成四行三列的电极阵列，相邻两个测量电极(3)之间设置有极间屏蔽条(5)，电极阵列的周边设置有边缘屏蔽框(4)，电极阵列与绝缘外壳(1)的底部之间还设置有底部屏蔽板(2)。

2.根据权利要求1所述的平面阵列电极电容传感器，其特征在于，所述测量电极(3)的长度为40.7mm，宽度为29.8mm，相邻两个测量电极(3)之间的间距为3mm，边缘屏蔽框(4)的框条宽度为10mm，极间屏蔽条(5)的宽度为1mm，且测量电极(3)与底部屏蔽板(2)之间的间距为8.5mm。

3.基于如权利要求1-2任一所述的平面阵列电极电容传感器的成像系统，其特征在于，由平面阵列电极电容传感器系统、数据采集系统和图像重建系统组成；所述平面阵列电极电容传感器系统包括平面阵列电极电容传感器以及与平面阵列电极电容传感器相连接的多路选通开关。

4.根据权利要求3所述的平面阵列电极电容传感器的成像系统，其特征在于，所述数据采集系统采用ITS-M3C高精度电容测量仪。

5.根据权利要求3所述的平面阵列电极电容传感器的成像系统，其特征在于，所述图像重建系统包括计算机，计算机内安装有图像重建软件，所述图像重建软件采用Mathmatical，数据融合及结果展示在Matlab 2016b中进行。

6.基于如权利要求3-5任一所述的平面阵列电极电容成像系统的成像方法，其特征在于，步骤如下：

1)数据采集，数据采集系统控制平面阵列电极电容传感器系统进行测量，获取多个测量电容值；

2)图像重建，根据获得的各个电极对之间的电容值，获取介电常数分布矩阵G，得到介电常数分布图；

3)数据融合，采用主成分分析法对8层介电常数分布图进行融合。

7.根据权利要求6所述的平面阵列电极电容成像系统的成像方法，其特征在于，步骤1)的具体操作为：首先对1号测量电极(3)施加交流激励，其它测量电极(3)虚地，经多路选通开关轮流与激励电极构成电极对，依次测量得到1-2、1-3、…、1-12电极对之间的电容值，之后，将激励电压加到2号测量电极(3)上，依次测量2-3、2-4、…、2-12电极对之间的电容值，依次循环，共得到66个有效的测量电容值。

8.根据权利要求6所述的平面阵列电极电容成像系统的成像方法，其特征在于，步骤2)中，采用Landwerber迭代法获得介电常数分布矩阵G，相应的迭代公式为：(k+1) (k) T (k)

G ＝G +aS(C-SG )，

式中：α为正的标量，S∈RM×N为归一化的灵敏度矩阵，C∈RM为归一化后的电容值，G∈RN为介电常数分布矩阵，M为测量得到的电容值个数，N为成像区域内像素个数，灵敏度矩阵S由ANSYS仿真得来，在计算灵敏度矩阵S时将被测材料分成8层，并将每层再次划分成32×32(0) T (k+1)等份，所以N为8×32×32，当k＝0时，G ＝S C，计算得到的G 为整个材料的介电常数分布矩阵灰度图，在进行数据融合之前将G(k+1)分成8块，其中，每块代表一层介电常数分布图。

9.根据权利要求6所述的平面阵列电极电容成像系统的成像方法，其特征在于，步骤3)中，所述主成分分析法的具体操作为：设有n个样本，其中每个样本中含有p个变量，构成的n×p阶数据矩阵X为：其中，xi1，xi2，…，xip为每层物场分布图中的灰度值；

对数据矩阵进行标准化变换：

其中， i＝1、2、…、n；j＝1、2、…、p；

标准化后的矩阵为Z：

对标准化矩阵Z求其协方差矩阵：

其中cij的计算公式为：

协方差矩阵为对称阵，求出C的各个特征根λj(j＝1，2，3，…，p)，并将特征根按λ1≥λ2≥λ3≥…≥λp的顺序排序，求得各个特征值对应的特征向量：写出主成分：

Fi＝a1iX1+a2iX2+a3iX3+，…，apiXp(i＝1，2，…，p)计算出每个主成分的贡献率和累计贡献率：

贡献率： 累计贡献率：

当累计贡献率达到90％以上时，λ1，λ2，λ3，…，λi(i≤p)，所对应的主成分F1，F2，…，Fi(i≤p)就为原始数据的i个主成分；

根据每个主成分的贡献率计算出数据融合之后的结果：

DF＝CR1F1+CR2F2，…，CRiFi，

式中，DF为融合之后的结果。