1.一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜为Bi0.97-xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜，x＝0.03～0.15，其结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存。

2.根据权利要求1所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜在700kV/cm电场下的剩余极化值为109μC/cm2，矫顽场为253kV/cm，正反转电流为1.395mA；

所述GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜在1kHz频率下的介电常数为416。

3.根据权利要求1所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜在25～40V的外加电压下具有剩余极化值为84～120μC/cm2的对称矩形电滞回线，具有对电压变化的铁电稳定性。

4.权利要求1-3中任意一项所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按摩尔比为(1.02-x):x:0.03:0.94:0.04:0.02将硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到前驱液；其中x＝0.03～0.15；

步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上，得到湿膜，湿膜经匀胶后在190～210℃下烘烤得干膜，再于540～560℃下在空气中退火，得到晶态Bi0.97-xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜；

步骤3：将晶态Bi0.97-xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3薄膜冷却至室温，重复步骤2直到达到所需厚度，即得到GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。

5.根据权利要求4所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中前驱液中金属离子的总浓度为0.2～0.4mol/L。

6.根据权利要求4所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

7.根据权利要求4所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2进行前先将FTO/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度。

8.根据权利要求4所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中匀胶时的匀胶转速为3500～4000r/min，匀胶时间为12～18s。

9.根据权利要求4所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中匀胶后的烘烤时间为6～8min。

10.根据权利要求4所述的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的退火时间为20～25min。