1.一种SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述SiGeSn太阳能电池光伏组件从下到上依次包括光伏散热背板、第一EVA封装层、第一导热硅胶封装层、SiGeSn太阳能电池片层、第二导热硅胶封装层、第二EVA封装层、透明玻璃盖板；

所述第一导热硅胶层按照重量百分比计算由以下组分组成：甲基苯基硅油100份，乙烯基硅油50-80份，含氢硅油20-30份，铂金催化剂0.1-0.5份，抑制剂1-3份，硅烷偶联剂3-5份，导热纳米颗粒80-150份，二氧化钛颗粒20-50份；

所述SiGeSn太阳能电池片层包括多个呈矩阵排列的SiGeSn太阳能电池片，所述SiGeSn太阳能电池片包括从下到上依次排列的背面电极、P型单晶硅基底、P型硅微米柱阵列、N型磷掺杂SiGeSn层、透明导电层、应力引入层、上电极，其中，N型磷掺杂SiGeSn层是在所述P型硅微米柱阵列上外延不同组分的Si、Ge和Sn制得，其通式为SixGeySn1-x-y，其中，0.5≤x≤

0.8，0.1≤y≤0.5，x+y＜1；

所述第二导热硅胶层按照重量百分比计算由以下组分组成：甲基苯基硅油100份，乙烯基硅油50-80份，含氢硅油20-30份，铂金催化剂0.1-0.5份，抑制剂1-3份，硅烷偶联剂3-5份，导热纳米颗粒80-150份，无碱玻璃纤维5-15份。

2.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述光伏散热背板的厚度为300-600微米。

3.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述第一、第二导热硅胶层中的所述抑制剂为酰胺化合物或马来酸酯化合物。

4.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述第一、第二导热硅胶层中的所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三（β -甲氧基乙氧基）硅烷、γ-(2，3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述第一、第二导热硅胶层中的所述导热纳米颗粒为氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼、氮化硅、碳化硅、碳纤维、石墨烯、碳纳米管中的一种或多种的组合，所述导热纳米颗粒的粒径为50-100微米。

6.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述二氧化钛颗粒的粒径为50-100微米。

7.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述P型硅微米柱阵列和所述N型磷掺杂SiGeSn层形成核-壳结构，所述P型硅微米柱阵列的单个硅微米柱的长度为100-500微米，所述单个硅微米住的直径为2-10微米，相邻硅微米柱的间距为10-50微米，所述N型磷掺杂SiGeSn层的厚度为100-500纳米。

8.根据权利要求7所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述N型磷掺杂SiGeSn层的化学式为Si0.6Ge0.2Sn0.2。

9.根据权利要求1所述的SiGeSn太阳能电池光伏组件，其特征在于：所述透明导电层的材料为ITO、铝掺杂氧化锌或FTO中的一种，所述透明导电层的厚度为10-50纳米，所述应力引入层为氮化硅或碳化硅，所述应力引入层的厚度为50-100纳米。