1.一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述触发电路包括充电电路、放电主电路和RSD触发电路；所述充电电路与放电主电路并联，所述放电主电路与所述RSD触发电路并联，所述充电电路包括充电电源；

所述RSD触发电路包括第一深能级晶体管(Deep level dynistor，DLD)的开关K21、第二深能级晶体管的开关K22、第二磁开关L21、第三磁开关L22、第二放电电容CC和脉冲电源；

所述第二磁开关L21和第三磁开关L22连接，第三磁开关L22和第一深能级晶体管的开关K21串联，第二磁开关L21和第二深能级晶体管的开关K22的连接公共点与第二放电电容CC的正极连接，第三磁开关L22和第一深能级晶体管的开关K21的连接公共点与第二放电电容CC的负极连接，脉冲电源的输出正极连接第一深能级晶体管的开关K21的正极和第二磁开关L21的另一端，脉冲电源的输出负极连接第二深能级晶体管的开关K22的负极和第三磁开关L22的另一端；

所述RSD触发电路的输出正极连接放电主电路的正极，RSD触发电路的输出负极连接放电主电路的负极；其中，所述连接放电主电路的正极和负极是指连接放电主电路中的RSD开关的正极和负极。

2.根据权利要求1所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述放电主电路包括第一放电电容C0、第一磁开关L、RSD开关、负载Z0；所述第一放电电容C0、第一磁开关L、RSD开关、负载Z0依次串联；所述充电电源的输出正极连接第一放电电容C0的正极，充电电源的输出负极连接第一放电电容C0的负极。

3.根据权利要求2所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述第二磁开关L21和第三磁开关L22包括导线和磁性材料，所述第二磁开关L21和第三磁开关L22均由所述导线在所述磁性材料的磁芯上缠绕若干圈组成。

4.根据权利要求3所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述磁性材料为铁氧体或环形微晶铁氧体薄膜。

5.根据权利要求1所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述脉冲电源的开关为半导体功率开关。

6.根据权利要求5所述一种反向开关晶体管触发电路，其特征在于，所述脉冲电源的开关为晶闸管或IGBT。