1.一种纯氧化物预烧结法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于,包括以下步骤：（1）纯氧化物预烧结法制备先驱粉

将氧化钇、过氧化钡与氧化铜按摩尔比为0.8～1∶2.2～2.5∶3.2～3.5球磨混合均匀，在880～910°C条件下保温5～20小时，再研磨后作为先驱粉；

（2）制备先驱块

将步骤（1）得到的先驱粉，使用压片机压制成圆柱体状的先驱块；

（3）压制支撑块

将氧化镱压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块；

（4）坯体的装配

在氧化铝垫片上表面由下至上依次放置氧化镁单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；

（5）单畴钇钡铜氧超导块材的生长

将步骤（4）装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～200℃的升温速率升温至890～

930℃，保温5～15小时，以每小时60～150℃的升温速率升温至1040～1050℃，保温1～3小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1008～1015℃，以每小时0.5～1℃的降温速率慢冷至995～1005℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢冷至970～985℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材；

（6）渗氧

将步骤（6）得到的单畴钇钡铜氧块材放入管式炉中，在流通的氧气气氛、450～410℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钇钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，氧化钇、过氧化钡与氧化铜的摩尔比0.9:2.4:3.4。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，保温是在890°C 条件下保温10小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述步骤（5）中，是将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时120℃的升温速率升温至920℃，保温10小时，以每小时120℃的升温速率升温至1045℃，保温2小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1010℃，以每小时0.6℃的降温速率慢冷至1000℃，再以每小时0.3℃的降温速率慢冷至980℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材。