1.制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极，其特征在于：步骤如下：

a、制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L-色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极：将4～6mM C20聚氧乙烯醚和1～3mM L-色氨酸溶于乙醇和水(V乙醇：V水＝2：1)的混合溶液中，且将氧化铟锡电极浸入上述溶液中静置30min；然后移取40～60μL氨丙基三乙氧基硅烷、150～250μL四乙氧基硅烷和1mL包含1～6M HCl的溶液依次滴加进上述溶液中，反应3h之后，慢慢取出氧化铟锡电极，自然晾干，备用；

b、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极：将包埋有C20聚氧乙烯醚和L-色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极置于马弗炉中，300～600℃下煅烧2h可得树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。

2.根据权利要求1所述制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极，其特征是：所述步骤a中C20聚氧乙烯醚的浓度为5mM，L-色氨酸的浓度为2mM，氨丙基三乙氧基硅烷的体积为50μL，四乙氧基硅烷的体积为200μL，HCl的浓度为3mM。

3.根据权利要求1所述制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极，其特征是：所述步骤b中煅烧温度为500℃。