1.制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极，其特征在于：步骤如下：

a、制备聚对氨基苯磺酸修饰电极：采用直径为3mm的玻碳电极(GCE)为工作电极，铂片为辅助电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极的三电极体系；称取10～20mg对氨基苯磺酸溶于20mL 0.1M的磷酸盐缓冲溶液(pH＝7.0)中，在-1.5～2.5V(vs.SCE)的电位窗口内，以

0.1V/s的扫速采用循环伏安法制备得到聚对氨基苯磺酸修饰电极，记为pABSA/GCE；

b、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极：将pABSA/GCE浸入包括2mM L-色氨酸和0.1M吡咯的0.1M的磷酸盐缓冲溶液(pH＝2.5～4.5)中静置10～30min，然后在-

0.6～0.8V(vs.SCE)的电化学范围内，以0.1V/s的扫速进行循环伏安扫描10圈，得到掺杂有L-色氨酸的聚吡咯/pABSA修饰电极；再将该修饰电极浸入0.1M H2SO4溶液中，施加0.3～

0.5V的电位脱掺杂1000s得到分子印迹聚吡咯/pABSA修饰电极，即MIPPy/pABSA/GCE；将MIPPy/pABSA/GCE置于0.1M NaOH溶液中，在0.4～1.2V的电化学窗口内进行循环伏安扫描，直到出现稳定的循环伏安曲线，得到最终的修饰电极，即MIOPPy/pABSA/GCE。

2.根据权利要求1所述制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极，其特征是：所述步骤a中对氨基苯磺酸的质量为15mg，磷酸盐缓冲溶液的pH为3.5。

3.根据权利要求1所述制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极，其特征是：所述步骤b中磷酸盐缓冲液的pH值为4，静置时间为20min，脱掺杂的恒电位为0.4V。