1.一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极采用单层或多层石墨烯薄膜材料，通过化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜层制备在铜箔上，然后采用有胶迁移的方式将石墨烯薄膜层迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P-DBR侧的外表面，然后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线，其特征在于，这种垂直腔面发射半导体激光器电极采用石墨烯薄膜层，采用CVD方法制备在铜箔上，然后采用有胶迁移的方式将石墨烯薄膜层迁移到激光器芯片上，这种电极利用石墨烯薄膜对激光器有源区发射的光子不存在吸收，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时，这种电极具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。

2.如权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器电极，所述电极的材料为石墨烯薄膜，石墨烯薄膜可以为单层石墨烯材料或多层石墨烯材料，这种石墨烯薄膜作为垂直腔面发射半导体激光器的P型和N型电极。

3.如权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器电极，所述电极的制备方法采用化学气相沉积(CVD)方法首先制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜层迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片的衬底和P-DBR的外表面上，具有较好的导电和导热特性。

4.如权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器电极，所述电极完成制备后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。

5.如权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器电极，所述电极应用于垂直腔面发射半导体激光器提高了器件出光面积，提高了器件的输出功率，使器件保持较好的光斑质量。