1.一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，包括透明导电基底、空穴传输层、CsPbBr3薄膜光敏层、染料敏化层、电子传输层、电极修饰层和反射电极所组成；所述的染料敏化层为酞菁染料，染料敏化层为SubPc、ClAlPc、SubNc中的一种，所述的染料敏化层形成在CsPbBr3薄膜光敏层之上，厚度10-20nm，所述的CsPbBr3薄膜光敏层为CsPbBr3的多晶，形成在空穴传输层之上；所述的CsPbBr3薄膜光敏层厚度100-300nm，CsPbBr3薄膜光敏层的表面均方根粗糙度为20-40nm，所述的电子传输层形成在染料敏化层之上；所述的电子传输层为C60、C70、PCBM中的一种，电子传输层厚度为20-50nm。

2.如权利要求1所述的一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，所述的透明导电基底为生长有ITO的石英玻璃、硅酸盐玻璃、高硅氧玻璃或钠钙玻璃等透明玻璃，所述ITO厚度为100-300nm，透光率大于85％，方块电阻小于10Ω。

3.如权利要求1所述的酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，所述的空穴传输层形成在透明导电基底之上；所述的空穴传输层包括但不限于石墨烯、PEDOT:PSS、PTAA、polyTPD、CuSCN、CuI、MoOx、V2O5、NiO、spiro-OMeTAD、PEIE、PEI，空穴传输层厚度为10-

50nm。

4.如权利要求1所述的酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，所述的电极修饰层为BCP、Bphen、Alq3、TPBI中的一种，电极修饰层厚度为5-10nm。

5.如权利要求1所述的酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池，其特征在于，所述的反射电极形成在电极修饰层之上；所述的反射电极包括但不限于Al、Au、Ag，反射电极的厚度100-

1000nm。

6.一种酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池的制造方法，其特征在于，器件的制备按先后顺序依次包括步骤：(1)透明导电基底清洗；

(2)在透明导电基底上形成空穴传输层；

(3)在空穴传输层上形成CsPbBr3薄膜光敏层，形成CsPbBr3薄膜光敏层包括步骤：s1合成CsPbBr3多晶：取3.65g的PbBr2，溶解在15ml的质量分数为48％的HBr溶液之中，获得A溶液；取2.13g的CsBr，溶液在5ml的去离子水中，获得B溶液；将A溶液与B溶液充分混合，得到橘黄色溶质；将所得橘黄色溶质用无水乙醇洗涤后真空干燥，获得CsPbBr3多晶；s2配置CsPbBr3前驱体溶液，所述CsPbBr3前驱体溶液的浓度为0.5M，所述CsPbBr3前驱体溶液的溶质为合成的CsPbBr3多晶，溶剂为二甲基亚砜；s3在空穴传输层上旋转涂覆CsPbBr3前驱体溶液；s4加热板上退火处理，蒸发溶剂获得CsPbBr3薄膜光敏层，所述的退火温度为90-200℃，退火时间为10-30分钟；

(4)在CsPbBr3薄膜光敏层上形成染料敏化层，染料敏化层为SubPc、ClAlPc、SubNc中的一种；

(5)在染料敏化层上形成电子传输层；

(6)在电子传输层上形成电极修饰层；

(7)在电极修饰层上形成反射电极。

7.如权利要求6所述的酞菁染料敏化的CsPbBr3光伏电池的制造方法，其特征在于，形成染料敏化层包括步骤：(1)将完成CsPbBr3薄膜光敏层的基片装入超高真空镀膜系统，并装载入所需的酞菁染料材料；

(2)将超高真空镀膜系统抽真空至真空度小于5×10-4Pa；

(3)采用真空热蒸镀的方法将酞菁染料沉积到CsPbBr3薄膜光敏层之上。