1.一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，通过使用真空管式炉设置三个温区，将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉置于二温区；将衬底放在带盖的坩埚底部，然后将坩埚放置在三温区；

步骤2，向真空管式炉中通载气；

步骤3，第一加热阶段：将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃，保持

60～180min；

步骤4，第二加热阶段：将二温区加热到580～800℃，保持5～20min，得气态的MoO3-x，其中0

步骤5，第三加热阶段：加热一温区到130～220℃，保持10～60min，得到硫蒸气；将二温区加热到800～950℃，将三温区加热到750～900℃，保持10～60min；调整载气流速，通过载气将所述硫蒸气及所述气态的MoO3-x携带至坩埚反应腔内，在衬底表面形成单层二硫化钼薄膜；

步骤5中，调整载气流速至10～80ccm；

步骤3中第一加热阶段二温区及三温区的升温速率为5～30℃/min；

步骤4中第二加热阶段二温区及三温区的升温速率为15～50℃/min；

步骤5中第三加热阶段一温区的升温速率为20～40℃/min；

步骤5中第三加热阶段二温区及三温区的升温速率为5～50℃/min；

步骤1中，硫粉与三氧化钼粉质量比为：1：20～1：150；

步骤2中所述载气为高纯氮气、稀释氢气或高纯惰性气体，通入载气的流速为100～

500ccm。

2.根据权利要求1所述的一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述衬底为硅、锗、碳化硅、氧化硅、蓝宝石、云母、氮化镓或石英。