1.RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，包括以下步骤：步骤1，首先对RB-SiC毛坯料进行抛光刻蚀加工，实现光学元件的精密磨削，使光学元件表面粗糙度值收敛到20纳米以内；

步骤2，利用射频磁控溅射技术（RF-MS）在RB-SiC光学元件表面沉积纳米级平坦化层；

步骤3，利用自由基微波等离子体源技术（RPS）对RB-SiC基底表面沉积的平坦化层进行抛光加工，利用自由基等离子体技术，将等离子体限定于等离子源本体之内，通过真空室流导控制，形成大面积均匀活性自由基，使得活性基与平坦化层材料发生化学化学反应，实现光学元件表面超光滑抛光加工；

步骤4，利用离子束修形抛光技术（IBF），对光学元件表面平坦化层进行修形和抛光，通过对表面的高确定性去除，实现光学元件表面面形修正。

2.根据权利要求1所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：所述步骤1-4中ICP刻蚀抛光装置，其本底真空2.0×10 Pa，工作真空控制在0.5 10Pa。

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3.根据权利要求2所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：初始毛坯料表面粗糙度RMS>100nm时，偏压功率维持100 150W，反应活性气体采用高纯度四氟化碳（纯~度99.99%）。

4.根据权利要求3所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：针对RMS>

100nm初始RB-SiC工件，射频功率150W，偏压功率150W，刻蚀气体流量为25 30sccm，工作气~压2 5Pa。

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5.根据权利要求4所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：所述步骤4中采用13.56MHz的射频离子源，利用三维运动控制系统控制离子源加工轨迹和驻留时间，所采用真空腔室本底真空1.0×10-4Pa，以高纯度氩气（纯度99.99%）为工作气体。

6.根据权利要求5所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：步骤2中工作真空度1.2Pa，靶功率密度控制在5 10W/cm2。

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7.根据权利要求6所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：步骤3中通过真空气体流导和真空泵抽速控制，形成均匀性<5%活性基区，抛光时典型的真空度在50~

100Pa。

8.根据权利要求7所述的RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法，其特征在于：步骤4离子束能量控制在800eV以下，束斑尺寸控制在10mm以下，刻蚀效率1.0×10-3 0.02mm3/min。

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