1.一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在通过使用真空管式炉设置三个温区，将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉置于二温区；将衬底放在坩埚表面，然后将坩埚放置在三温区；

步骤2、将真空管式炉内抽真空，向真空管式炉中通载气进行清洗；

步骤3、第一阶段：清洗阶段，继续通所述载气，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃，保持60～180min；

步骤4、第二阶段：三氧化钼预蒸发、预成核阶段，设置三温区预蒸发和预成核的温度差为-150～150℃，将二温区加热到600～800℃，保持10～40min；将三温区加热到600～750℃，保持10～40min，得气态的MoO3-x，其中0

步骤5、第三阶段：三氧化钼蒸发生长阶段，加热一温区到130～220℃，保持10～60min，得到硫蒸气；将二温区加热到800～900℃，保持10～60min；将三温区加热到700～850℃，保持10～60min；通过所述载气将所述硫蒸气及所述气态的MoO3-x携带至坩埚反应腔内，在所述衬底表面形成二硫化钼薄膜；

步骤6、第四阶段，降温阶段，将一温区、二温区及三温区降至室温。

2.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤1中，所述硫粉与所述三氧化钼粉质量比为：20：1～250：1。

3.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤1中，所述衬底为氧化硅或蓝宝石。

4.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤2所述载气为高纯氮气、氩气、稀释氢气或高纯惰性气体，通入载气的流速为100～500ccm。

5.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤5中，调整载气流速至10～80ccm。

6.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤3中，第一阶段二温区及三温区的升温速率为5～30℃/min。

7.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤4中，第二阶段二温区及三温区的升温速率为15～50℃/min。

8.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤5中，第三阶段一温区的升温速率为20～40℃/min。

9.根据权利要求1所述的一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法，其特征在于，步骤5中，第三阶段二温区及三温区的升温速率为5～50℃/min。