1.一种新型修饰电极的制备方法，其中，具体包括以下步骤：步骤一、将十六烷基三甲基溴化铵、油酸钠和45-55℃的温水搅拌混合均匀得到溶液A；

步骤二、将所述溶液A自然冷却至室温后，在29-31℃的水浴条件下，将硝酸银溶液与所述溶液A混合均匀，静置得到溶液B；

步骤三、将所得的溶液B与氯金酸溶液混合，搅拌至溶液变澄清得到溶液C；

步骤四、将所得溶液C与浓盐酸溶液、抗坏血酸溶液混合得到混合溶液D；

步骤五、将晶种与所述混合溶液D混合后装入密闭容器中，使用氮气充满所述密闭容器并加压至25～30Mpa，然后再静置得到金纳米棒；

步骤六、将所得的金纳米棒与离子水混合后，进行离心和分散得到金纳米棒分散溶液；

步骤七、将所得的金纳米棒分散溶液滴定于裸玻碳电极上后，置于2500～3000高斯的交变磁场中晾干得到所述新型修饰电极，所述交变磁场以100高斯每分钟的速度递减并稳定在200高斯。

2.如权利要求1所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述步骤一中十六烷基三甲基溴化铵、油酸钠和温水的的质量比为7:1～1.5：470～500；搅拌时间为25～35分钟。

3.如权利要求2所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述步骤二中使用的是14.4mL 

5.0mmol/L的硝酸银溶液。

4.如权利要求3所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述步骤三中使用的是25.0mL 

0.01mol/L氯金酸溶液；搅拌时间大于30分钟。

5.如权利要求4所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述步骤四中使用的是1.5mL 

12mol/L的浓HCl以及0.8mL 0.1mmol/L的抗坏血酸。

6.如权利要求5所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述晶种为粒径1-2nm的金纳米颗粒；静置时间为6-10小时。

7.如权利要求6所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述金纳米棒与离子水混合后，至少在转速5000rpm离心两次，每次至少10分钟。

8.如权利要求1所述的新型修饰电极的制备方法，其中，所述裸玻碳电极进行以下预处理：将裸玻碳电极置于质量分数5-8％的氢氟酸中10-15s，然后使用超纯水冲洗2-3min，再放置在含有粒度0.3μm的抛光粉的抛光布上抛光至镜面，随后将玻碳电极依次置于甲醇、浓度为0.5mol/L的H2SO4溶液和超纯水中分别超声25～35s，并在每次超声结束后用超纯水冲洗0.5～1.5min得到预处理的裸玻碳电极。