1.一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构，其特征在于，该共面电极结构由下至上依次包括GaAs基衬底（1）、下N型布拉格反射镜（2）、有源区（3）、一对上P型布拉格反射镜（4）、低电阻GaAs基隧道结（5）、氧化限制层（6）和上N型布拉格反射镜（7）；

其中，所述上P型布拉格反射镜（4）、所述低电阻GaAs基隧道结（5）、所述氧化限制层（6）和所述上N型布拉格反射镜（7）共同构成成圆形小尺寸台面，即第一台面；所述下N型布拉格反射镜（2）和所述有源区（3）共同构成圆形较大尺寸台面，即第二台面；所述GaAs基衬底（1）上部镀有下电极（8），在所述上N型布拉格反射镜（7）上部镀有圆环式上电极（9），光从顶部的上N型布拉格反射镜（7）上部发出，为顶面发光结构；所述的圆形小尺寸台面和圆形较大尺寸台面组成的双台面填充BCB填充层（10），以实现共面电极结构。

2.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述第一台面和第二台面均采用ICP-RIE刻蚀形成；其中，ICP-RIE刻蚀形成第二台面后，通过湿法氧化工艺形成小的氧化限制孔径，氧化限制孔径小于7μm，以实现面发射激光器的高速低能耗性能。

3.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述第一台面的台面尺寸<30μm，以尽可能的提高相同驱动电流下的调制带宽。

4.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述第二台面尺寸大于第一台面尺寸，尺寸约为第一台面尺寸+30μm，以提高器件热耗散能力，此结构不需要额外的热沉和散热片。

5.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述低电阻GaAs基隧道结（5）和第一台面尺寸相同。

6.所述低电阻GaAs基隧道结（5）为四组分InGaAsSb/InGaAs第二类异质隧道结，能够降低寄生电阻，提高寄生截止带宽，解决小尺寸高速器件的寄生限制难题。

7.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述上N型布拉格反射镜（7）上方设有出光窗口顶发射结构。

8.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述上P型布拉格反射镜（4）和上N型布拉格反射镜（7）采用组分渐变的AlxGa1-xAs布拉格反射镜以降低寄生电阻，提高寄生提高带宽。

9.如权利要求1所述的共面电极结构，其特征在于，所述有源区（3）上部的除隧道结下方的一对P型布拉格反射镜以外的高电阻的P型布拉格反射镜全部用低电阻的N型布拉格反射镜取代了，此结构能够解决小尺寸高速低能耗器件的寄生限制问题，进一步降低高速器件的能耗。