1.一种N离子掺杂二氧化铈薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)在Ar和N2的混合气氛中，以金属Ce为靶材，经磁控溅射得到CeN薄膜；

(2)将所述步骤(1)制得的CeN薄膜氧化，即得N离子掺杂CeO2薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射的溅射压强为0.8～2.0Pa。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射的射频功率为50～200W。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射的时间为2～

4小时。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射的温度为25～200℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中Ar的气体流量为30～

60cm3/min，所述N2的气体流量为5～10cm3/min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中磁控溅射时使用的衬底为单晶Si。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中氧化在空气中进行。

9.根据权利要求1或8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中氧化的时间为2天～30天。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中氧化的温度为20～25℃。