1.一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法，其特征在于，按以下步骤进行：

(1)称取二水合乙酸锌ZnAc2·2H2O加入单口烧瓶中，加入乙醇进行超声，将分散好的混合液转移到油浴锅中，回流得到无色透明溶液；其中，为防止水汽的进入，回流管顶端应该加氯化钙干燥管；

(2)移取步骤(1)制得的乙酸锌溶液，加入氢氧化锂，冰水浴下超声震荡搅拌，制得无色透明ZnO量子点溶胶；加入γ-巯丙基三甲氧基硅烷KH-590乙醇溶液搅拌修饰，用正己烷反溶剂进行洗涤，然后再加入乙醇溶解，以上操作重复几次，最后得到的ZnO QDs冷冻干燥，研磨成粉备用；

(3)将P123溶解于乙醇中，加入SiO2水溶胶，混合搅拌，再称取制备的量子点，溶解到上述混合液中搅拌，搅拌后，加入HCl进行催化TEOS水解，暗反应过夜，用乙醇洗去表面活性剂，用离心机进行离心分离，真空干燥后研磨，最后N2气流中灼烧，去除致孔剂P123形成多孔SiO2@ZnO QDs荧光材料。

2.根据权利要求1所述的一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的乙酸锌/乙醇溶液的用量比为1mmol:10mL；超声时间为30min；乙酸锌回流溶解在乙醇溶液中回流温度为80～85℃，回流时间为30～180min。

3.根据权利要求1所述的一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的乙酸锌、氢氧化锂和KH-590物质的量之比为1：1～3mol：5～10mmol；正己烷体积为20mL。

4.根据权利要求1所述的一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的P123、乙醇、SiO2水溶胶用量比例为0.5～2g：30mL：5～20mL，ZnO QDs加入量为50～200mg；盐酸体积为200μL；离心速度为12000rpm/min；N2气流中灼烧温度为550℃。

5.根据权利要求1所述的一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述SiO2水溶胶中，水:乙醇:TEOS的体积比为2:1:2。

6.利用权利要求1～5所述制备方法制得的一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料。

7.将权利要求6所述的ZnO量子点/多孔硅荧光材料用于制备分子印迹荧光传感器的用途。

8.将权利要求6所述的ZnO量子点/多孔硅荧光材料用于制备三聚氰胺分子印迹荧光传感器MEL-MIP的用途。

9.利用权利要求6所述的ZnO量子点/多孔硅荧光材料用于制备三聚氰胺分子印迹荧光传感器MEL-MIP的方法，其特征在于，包括如下步骤：三口烧瓶中，称取三聚氰胺MEL加入乙醇/水混合溶液中，加入丙烯酸，制备的SiO2@ZnO QDs基质材料进行自组装，搅拌过夜，将混合溶液转移到水浴锅中，加入二甲基丙烯酸乙二醇酯EGDMA和偶氮二异丁腈AIBN，氮气氛下开始聚合，最后用乙醇和水洗涤，真空干燥研磨，用甲醇/乙酸混合溶液进行索氏萃取洗涤，真空干燥后即为三聚氰胺表面分子印迹荧光传感器MEL-MIP。

10.根据权利要求9所述的ZnO量子点/多孔硅荧光材料用于制备三聚氰胺分子印迹荧光传感器MEL-MIP的方法，其特征在于，所述的三聚氰胺MEL、丙烯酸、SiO2@ZnO QDs基质材料、EGDMA和AIBN的用量比为0.5mmol：0.3～0.6mL：20～100mg：0.12mL：10mg；

乙醇/水混合溶液中，乙醇和水的体积比为1～4:1；

聚合温度为55～65℃；

甲醇/乙酸混合溶液中，甲醇和乙酸的体积比为4：1，萃取时间为72h，重复3次。