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专利号: 201710479913X
申请人: 江南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-10-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于,所述结构包括衬底、分布式布拉格反射镜(DBR)、二维过渡金属硫化物和贵金属纳米光栅;所述的分布式布拉格反射镜(DBR)设置在衬底上部;所述的二维过渡金属硫化物设置在分布式布拉格反射镜上;所述的贵金属纳米光栅设置在二维过渡金属硫化物表面;所述二维过渡金属硫化物为单层结构,所述分布式布拉格反射镜(DBR)包含两种不同折射率的介质层,采用ABAB…周期结构排列;所述的分布式布拉格反射镜(DBR)结构中材料的折射率和厚度是能够调节的,能够实现二维过渡金属硫化物在特定波段上对光的吸收增强,DBR的反射带宽为:其中,nH和nL分别为DBR结构中高折射率介质层和低折射率介质层的折射率。

2.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于,所述的衬底选自蓝宝石、硅、氮化镓、砷化镓、氮化铝或尖晶石中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于,所述的贵金属纳米光栅的材料为金或银。

4.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于,所述二维过渡金属硫化物中的过渡金属元素为钼、钨、铌、铼、钛中的任意一种,硫族元素为硫、硒、碲中的任意一种。